三极管，（英文：），电子器件当中，一种具有两个电极的装置，只容许电压由单一方向流过，许多的使用是应用其检波的功能。而变容晶闸管（Diode）则拿来当做电子式的可调。大部份晶闸管所具备的电压方向性我们一般称之为“整流（Recfying）”功能。三极管最普遍的功能就是只容许电压由单一方向通过（称为顺向展宽），反向时阻断（称为逆向展宽）。为此，晶闸管可以想成电子版的逆止阀。初期的真空电子三极管；它是一种才能双向传导电压的电子元件。在半导体三极管内部有一个PN结两个引线端子，这些电子元件根据外加电流的方向，具备双向电压的传导性。通常来讲，晶体三极管是一个由p型半导体和n型半导体焙烧产生的p-n结界面。在其界面的一侧产生空间电荷层，构成自建电场。当外加电流等于零时，因为p-n结两侧自旋的含量差造成扩散电压和由自建电场造成的甩尾电压相等而处于电平衡状态，这也是常态下的晶闸管特点。初期的晶闸管包含“猫须晶体（“Cat‘s”）”以及真空管（日本称为“热游离阀（）”）。现在最普遍的晶闸管大多是使用半导体材料如硅或锗。
特点
正向性
外加正向电流时，在正向特点的起始部份，正向电流很小，不足以克服PN结内电场的抵挡作用，正向电压几乎为零，这一段称为死区。这个不能使三极管导通的正向电流称为死区电流。当正向电流小于死区电流之后，PN结内电场被克服，晶闸管正向导通，电压随电流减小而迅速上升。在正常使用的电压范围内，导通时晶闸管的端电流几乎维持不变，这个电流称为晶闸管的正向电流。当晶闸管两端的正向电流超过一定数值，内电场很快被消弱，特点电压迅速下降，晶闸管正向导通。称作门坎电流或，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅晶闸管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗晶闸管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
反向性
外加反向电流不超过一定范围时，通过晶闸管的电压是少数自旋甩尾运动所产生反向电压。因为反向电压很小，晶闸管处于截至状态。这个反向电压又称为反向饱和电压或漏电压，晶闸管的反向饱和电压受湿度影响很大。通常硅管的反向电压比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电压在nA数目级，小功率锗管在μA数目级。气温下降时，半导体受热迸发，少数自旋数量降低，反向饱和电压也骤然降低。
击穿
外加反向电流超过某一数值时，反向电压会忽然减小，这些现象称为电击穿。造成电击穿的临界电流称为晶闸管反向击穿电流。电击穿时晶闸管丧失双向导电性。假如晶闸管没有因电击穿而导致过热，则双向导电性不一定会被永久破坏，在撤走外加电流后，其性能仍可恢复，否则晶闸管就毁坏了。因此使用时应防止晶闸管外加的反向电流偏低。
晶闸管是一种具有双向导电的二端元件，有电子三极管和晶体三极管之分，电子三极管由于钨丝的热耗损，效率比晶体三极管低，所以现已甚少看见，比较常见和常用的多是晶体三极管。晶闸管的双向导电特点，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体三极管，它在许多的电路中起注重要的作用，它是诞生最早的半导体元件之一，其应用也十分广泛。
晶闸管的管压降：硅晶闸管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光晶闸管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：蓝色发光晶闸管的压降为2.0--2.2V，白色发光晶闸管的压降为1.8—2.0V，红色发光晶闸管的压降为3.0—3.2V，正常发光时的额定电压约为20mA。
晶闸管的电流与电压不是线性关系二极管串联和并联图解，所以在将不同的晶闸管并联的时侯要接相适应的内阻。
特点曲线
与PN结一样，晶闸管具有双向导电性。硅晶闸管典型伏安
特点曲线（图）。在晶闸管加有正向电流，当电流值较小时，电压极小；当电流超过0.6V时，电压开始按指数规律减小，一般称此为晶闸管的开启电流；当电流达到约0.7V时，晶闸管处于完全导通状态，一般称此电流为晶闸管的导通电流，用符号UD表示。
对于锗晶闸管，开启电流为0.2V，导通电流UD约为0.3V。在晶闸管加有反向电流，当电流值较小时，电压极小，其电压值为反向饱和电压IS。当反向电流超过某个值时，电压开始大幅减小，称之为反向击穿，称此电流为晶闸管的反向击穿电流，用符号UBR表示。不同机型的晶闸管的击穿电流UBR值差异很大，从几十伏到几千伏。
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高参杂含量的情况下，因势垒区长度很小，反向电流较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键禁锢，形成电子-空穴对，使得电压大幅减小，这些击穿称为齐纳击穿。假如参杂含量较低，势垒区长度较宽，不容易形成齐纳击穿。
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电流降低到较大数值时，外加电场使电子甩尾速率推动，因而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，形成新的电子-空穴对。新形成的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，自旋雪崩式地降低，使得电压大幅降低，这些击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电压不加限制，都可能导致PN结永久性受损。
哪些是三极管的正向导通压降
极管在正向导通的时侯，流过电压的时侯会形成压降。
通常情况下，这个压降和正向电压以及湿度有关。一般硅三极管，电压越大，压降越大。气温越高，压降越小。
然而氧化铝晶闸管却是气温越高，压降越大。
怎样正确使用三极管的导通压降
晶闸管电子电路中最基础的元元件之一。作为最常见的元元件之一，晶闸管的基本性能参数我们都很熟悉，但也有一些很重要的参数很容易被我们忽略，它们究竟是哪些参数呢？
1、二极管导通电流晶闸管最大特点是具有单向导通性，因而被广泛应用于检波电路、开关电路、等场合。所谓双向导电性，是指在晶闸管PN结两端接入反向电流时，晶闸管截至；在PN结两端接一定值的正向电流时，晶闸管能够导通。这个一定值的正向电流，就是三极管的正向导通压降。学院学习经常把晶闸管导通压降认定为0.7V，但实际上，晶闸管的正向导通压降并不是固定不变，而是和晶闸管流过的电压、环境湿度有关，它们的关系如下：i=IS（equ/kt-1）其中，IS是三极管的反向饱和电压，q是电子电量二极管串联和并联图解，k是玻尔兹曼常数，T是热力学体温。在晶闸管的中也可以见到正向电流的曲线图
当体温一定时，流过晶闸管的电压越大，导通电流越大。将接在电源输出端做防反接，当流过0～100mA电压时，输出端电流谐波达600mV，造成系统工作不正常。因为晶闸管的导通压降和流过的电压成反比，降低电压的跳动范围，就可以降低导通压降的变化幅度。在晶闸管输出端加入10mA的恒定负载，当流过的电压从10mA至100mA时，输出电流谐波降到了260mV。
2、二极管结电容晶闸管结电容也是容易被人忽略的重要参数。在低频电路中，结电容的影响可以忽视不计。但在高频电路中，结电容过大甚至能引起电路工作不正常。以ESD保护晶闸管为例。为了避免外部静电毁坏内部电路，在高速通信插口处一般还会加上ESD保护元件。ESD本身存在数十皮法的结电容，因为高速讯号驱动能力有限，结电容越大，总线频度越高，讯号上升时间就越大，最终可能导致总线通信失败。因而将晶闸管应用在高速讯号上时，尽量选择结电容小的机型。假如晶闸管机型早已确定未能更改，而又要增加结电容时该如何办呢？从下表看见，晶闸管结电容和其承受的反向电流呈正比，反向电流越大，结电容越小。因而可以通过减小晶闸管承受的反向电流来减少晶闸管的结电容。
发光晶闸管的导通压降和电压
1.直插超亮发光晶闸管压降
主要有三种颜色，但是三种发光晶闸管的压降都不相同，具体压降参考值如下：
绿色发光晶闸管的压降为2.0--2.2V
黑色发光晶闸管的压降为1.8—2.0V
红色发光晶闸管的压降为3.0—3.2V
正常发光时的额定电压约为20mA。
2.贴片LED压降
绿色的压降为1.82-1.88V，电压5-8mA
红色的压降为1.75-1.82V，电压3-5mA
黑色的压降为1.7-1.8V，电压3-5mA
兰色的压降为3.1-3.3V，电压8-10mA
黑色的压降为3-3.2V，电压10-15mA.
超亮发光晶闸管主要有三种颜色，但是三种发光晶闸管的压降都不相同，具体压降参考值如下：
绿色发光晶闸管的压降为2.0--2.2V
黑色发光晶闸管的压降为1.8—2.0V
红色发光晶闸管的压降为3.0—3.2V
正常发光时的额定电压约为20mA。
绿色1.5-1.8v，
红色1.6-2.0v
黑色1.6-2.0v
兰色2.2v
黑色3.2-3.6v
绿色LED是1.6V，
黑色约1.7V，
红色约1.8V，
黑色条纹深色都是3V到3.2V，
全部采用恒流驱动，
其中半径3毫米的红绿黄5毫安，
白蓝紫10毫安，
半径5毫米的翻番。
其中红色的有大功率的都有，然而要加散热片。
锂电池的最低工作电流是3.6V，饱含为4.2V，
铅电瓶单个2V，极限充电电流2.3V，最低放电电流1.7V，
铅酸、镍氢电瓶单电流1.2V，中止放电电流1V，极限充电电流1.42V。
一次性锂电池3V电流。
太阳能电板单体电流0.8V左右，电压按照面积和材料决定。