我们在观察晶体振荡电路时，一般会听到那么几个电子元元件，晶振和晶振两侧的电容。电容一端接地串联和并联电阻热量，一端接晶振。还有就是两个内阻，一个是跨接在晶振两端，一个接在晶振的输出端，同芯片相连。旁接的电容我们都晓得叫匹配电容，它们的大小可以改变振荡电路的频度，通过试验就可以观察的到。而两个分别串并得内阻各自起到哪些作用，其值选多大，则甚少听人介绍过。下边就针对这个问题晶科鑫的工程师帮您进行解答。
举例，一个振荡电路在其输出端串接了一个22K的内阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的内阻。
电路并联内阻是因为联接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容内阻组成的网路提供另外180度的相移，整个支路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益小于等于1，晶体才正常工作。Xin和Xout的内部通常是一个施密特反相器，反相器是不能驱动晶体回落的。为此，在反相器的两端并联一个内阻，由内阻完成将输出的讯号反向。内阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，产生放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效根据晶体频度谐振，因为晶体的Q值十分高，因而内阻在很大的范围变化都不会影响输出频度，但会影响占空比比的。
电路串联内阻常拿来防治晶振被过份驱动。晶振过于驱动的后果是将逐步耗损降低晶振的接触镀镍，这将导致频度的上升，并造成晶振的初期失效，又可以讲drivelevel调整用。拿来调整drivelevel和发振余裕度。
推论为，晶振输入输出联接的内阻作用是形成负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，通常在M欧级，KHz晶振电路，并联内阻一般为10M欧，MHz晶振，并联电容一般为1M欧左右。输出端串联内阻与负载电容组成网路，提供180度相移，同时起到限流的作用，避免反向器输出对晶振过驱动串联和并联电阻热量，毁坏晶振。其值的大小一般为几百K欧姆较多，具体大小须要通过调试，按照过驱程度去选取串接多大内阻。
其实不是每位振荡电路都听到了上述介绍的各类电子元元件，上述介绍的是教科般的理论电路，在实际电路中，可能依据电路的实际须要可以省去个别元元件，或芯片外置上述元元件，所以须要依照实际应拿来剖析和了解各元件的功能和作用的。