重要的事情放到上面：
本文大多数内容（包括实验目的、实验原理、实验仪器、实验内容、思考题）均始于学院化学实验指导书，并非本人原创，其余均为本人原创。
实验数据均为本人经过实验得出，置于这儿是为了展示完整的实验报告，并供读者参考和学习，请端正学习态度，请勿剽窃、无故更改、伪造实验数据！
由于技术缘由，有一些数字抒发在这写得不标准。
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实验过程杂谈视频：
实验报告正文：
一、实验目的
1.了解光电效应原理、光敏内阻工作原理和基本特点。
2.把握光路的调整方式。
3.提升在光电效应原理、光敏内阻工作原理和基本特点以及应用方面的资料信息的选择收集能力。
二、实验原理
物体在光的作用下释放出电子的现象称为光电效应，所释放出的电子称为光电子。光电效应分为内光电效应和外光电效应。入射光子使吸收光的物质表面发射电子，这些效应称为外光电效应或光电发射效应；光迸发的自旋仍保留在晶体内部称为内光电效应，它又可分为光导效应和光伏效应。有些半导体材料在黑暗环境下的阻值很大，但遭到光照射时，若光子的能量小于半导体材料的禁带长度，则价带中的电子吸收光子的能力后才会跃迁到导带，从禁锢状态弄成自由状态，迸发出电子—空穴对，这样因为半导体中自旋含量的降低，使材料的浊度率降低，浊度率的改变量为
该式中，e为电荷电量，△p为空穴含量的改变量，△n为电子含量的改变量，μp为空穴的转移率，μn为电子的迁移率。
照射光线越强，内阻值增长愈多，光照停止，自由电子与空穴逐渐复合，内阻又恢复原先值，这就是光导效应，按照这一原理制成的元件称为光敏阻值。光敏内阻没有极性，使用时在内阻两端加上直流或交流展宽。光敏内阻不受光照射时的阻值称为暗内阻，此时流过的电压称为暗电压；受光照射时的内阻称为亮点阻，对应的电压称为亮电压。亮电压与暗电压之差称为光电流。光电流越大，灵敏度越高。
光敏内阻的基本特点包括伏安特点、光照特点、光电灵敏度、光谱特点、频率特点和湿度特点。
光照特点是指在一定的外加电流下，光敏内阻的光电流与光通量之间的关系。光电流随着色温的变化而改变的规律称为光照特点。不同类型的光敏内阻的光照特点不同，当入射光很强或很弱时，光敏内阻的光电流与光照之间会呈现非线性关系；其它亮度区域近似呈线性关系。不同类型的光敏内阻的光照特点不同，但大多数光敏内阻的光照特点是非线性的。
三、实验仪器
本实验仪器是一种检测光敏内阻基本特点的实验装置，包括伏安特点和光照特点。实验装置结构如右图所示，在滑轨上安置五个磁力滑座，分别将光源、两个聚光镜、偏振器、接收器插入滑座内。打开光源，调整聚光镜，使平行光均匀入射到偏振光片上电阻的测量实验报告电阻的测量实验报告，调整聚光镜及接收器使她们处于同一光轴。旋转偏振光器的手轮，刻度为0时通过的光能最强；刻度为90°时通过的光能最弱，通过旋转手轮改变入射到接收器的光强。按照光敏内阻特点，在一定亮度下检测光敏内阻的电流与光电流的关系；在一定工作电流下，检测光敏内阻的亮度与光电流的关系。
仪器的调整如下：
（1）粗调：目测调节各光学器件、光源的中心轴至大致等高。
（2）细调：按照透镜共轭法成像的特性，将光源和两透镜调整至共轴等高，将偏振光器调整至与光轴同轴等高，再调节两透镜位置使出射光能均匀照射到光敏内阻并使光电流输出最大。
四、实验内容
1.在一定亮度下，检测光敏内阻电流与电压的关系曲线。
2.在一定工作电流下，检测光敏内阻的亮度与电压的关系曲线。
五、数据记录
1.光敏内阻电流与电压的关系：
2.光敏内阻的亮度与电压的关系：（U=2.06V）
六、数据处理
光敏内阻电流与电压的关系（θ=30°）
光敏内阻电流与电压的关系（θ=60°）
光敏内阻的亮度与电压的关系：（U=2.06V）
七、结果陈述
对“光敏内阻的亮度与电压的关系”一图，理论上当入射光很强或很弱时，光敏内阻的光电流与光照之间会呈现非线性关系，其它亮度区域近似呈线性关系；对另外两图线性关系还是很显著的。
八、实验总结与思索题
1.实验总结：
在这个实验中，前期打算是重中之重，首先是要对器件进行共轴调节，使它们在一条水平线上，之后按照实验步骤获取数据即可。
2.思索题：
（1）哪些是透镜共轭成像？
透镜共轭成像，指透镜成像时，物距和像距的大小可以互换，两种情况下分别成放大、缩小的倒立虚像。对于透镜而言，通过光心且与光轴垂直的平面，既是物方主平面也是像方主平面重合。物距与像距存在共轭关系，物距越远，像距越近；相反，物距越近，像距越远。物距、像距的关系与凸透镜的成像规律完全一样，物体紧靠时，像越来越远，越来越大，最后再同侧成实像。
（2）设置聚光镜4的目的是哪些？
通过聚光镜4使出射光会聚，使之高效地照射到接收器5的光敏内阻上。
九、相关题
1.本实验研究光敏内阻的光照特点采用哪些方式改变光照硬度（B）
A.调节接收器的位置
B.通过改变偏振光片的倾角来控制入射光的硬度
C.调节聚光镜的物、像距
2.实验中，光照特点和伏安特点分别是研究光敏内阻的光电流与（C）之间的关系
A.光通量、电阻
B.光强、光通量
C.光通量、电压
3.影响光敏内阻电阻大小主要诱因（ABC）
A.构成半导体的材料特点
B.光照硬度
C.光的频度
4.光敏内阻的基本特点包括（ABCDE）
A.频谱特点
B.光照特点
C.光电灵敏度特点
D.伏安特点
E.气温特点
5.本实验的实验目的是（ABCD）
A.检测光敏内阻的伏安特点曲线和光照特点曲线
B.了解光电效应的原理
C.把握光路的调整方式
D.了解光敏内阻的工作原理和基本特点
6.光照形成电子-空穴对的条件是（AD）
A.光子频度足够大
B.光照时间足够长
C.光强足够大
D.光子能量足够高
7.影响半导体内阻大小的诱因有（ABC）
A.半导体被光迸发
B.禁带长度的大小
C.氮化物含量
8.（判定题）光敏内阻常用于光开关元件。
标准答案：正确
9.(判定题)光敏内阻的电阻随光照硬度呈非线性关系。
标准答案：正确
10.(判定题)给光敏内阻加电流后，假如没有光照，光敏内阻中的电压为零。
标准答案：错误