由于并联内阻两端的电流相同，依照欧姆定理可求出各并联大道的分支电压为
因为电路中总电压等于各分支电压的和，则
即式中R为并联电路的等值内阻，将上式两端同乘以U则
所以，并联电路中总内阻的电阻，等于各并联内阻的倒数之和。
假如上述并联内阻电阻均相同R1=R2=R3，则并联内阻总内阻电阻估算公式弄成：
上述公式中，为RN为各个环路的内阻电阻；N为并联的大道数。
晶振串联内阻与并联内阻作用
一份电路在其输出端串接了一个22K的内阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的内阻。这儿介绍这是因为联接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容内阻组成的网路提供另外180度的相移，整个支路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益小于等于1，晶体才正常工作。
和晶振串联的内阻常拿来防治晶振被过份驱动。晶振过于驱动的后果是将逐步耗损降低晶振的接触镀镍电阻的串联和并联的特点，这将导致频度的上升，并造成晶振的初期失效，又可以讲调整用。拿来调整和发振余裕度。晶振输入输出联接的内阻作用是形成负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，通常在M欧级，输出端的内阻与负载电容组成网路，提供180度相移，同时起到限流的作用，避免反向器输出对晶振过驱动，毁坏晶振。
Xin和Xout的内部通常是一个施密特反相器，反相器是不能驱动晶体回落的。为此，在反相器的两端并联一个内阻，由内阻完成将输出的讯号反向。
内阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，产生放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效根据晶体频度谐振，因为晶体的Q值十分高，因而内阻在很大的范围变化都不会影响输出频度。过去电阻的串联和并联的特点，当初试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响占空比比的。