背景
在电路设计中，电源设计是最重要的部分。 各子系统要想正常工作电流过大自动断电，必须保证电源设计值在指南的要求之内。 一旦超过或更高，可能会导致系统无法工作或芯片烧坏； 有时我们也会遇到这样的情况。 上电后，系统可以正常运行一段时间，从调试插座复制的日志也正常，突然电路板上的一个芯片变成蓝色。 它被熏黑了，让电子设计师看起来就像两英尺外的和尚——他们无法弄清楚。 经过仔细确认，发现电源芯片的VDD和GND漏电，而电路中的其他电阻、电容或IC均正常。 这些情况都相当奇怪。 下面是我们在项目开发过程中遇到的一个反例。
我们做了一个激光驱动电路，就是所谓的高压电路。 电源芯片要求输出8V/4A。 我们使用/，它具有更宽的输入电流范围。 我们来分析一下这类问题的分析技巧。
可能原因分析
(1)排除根本原因：PMIC的VDD是否超过要求的最大值；
(2)过流、过压：当下游负载为感性负载时，感性回路中可能会形成较大的反向电流。 负载要求为4A电压电流过大自动断电，PMIC最大输出为3.5A。 这两种情况都可能出现过流、缺相的情况；
(3)峰值电压过大：
(4)出现反向电压：出现较高的反向偏置电流，系统中的电压向相反方向运行； 电路电流的波动可能会导致电压从IC的电源VDD引脚流出，并且IC的内部结构有些脆弱。 NPN 或 PNP 二极管等的反向击穿；
找出问题
（1）用万用表和示波器检测PMIC的VDD引脚，并与指南中要求的最大值进行比较；
(2)检查电子系统中是否存在感性负载，如线圈电机、保险丝等类型负载；
(3)峰值电压可以用示波器捕捉高频波形，看噪声值是否超出要求范围；
解决方案
（1）如果峰值电压超过允许值，可以使用高频吸收电容（高Q值、超低ESR），并在电源输出引脚附近并联一个高频吸收电容到地;
(2)在输入路径中添加肖特基晶闸管；
(3)增加单路(N-MOS)；
(4)增设负荷开关；
举个栗子
明天我还在博客上看到了一个反例。 是设计者在测试时不小心将输入电源和GND漏电，导致TI烧毁。 电路图如下。
该块如右图所示。 需要在引脚外部连接肖特基和电感以形成基本的DCDC电路。 引脚内部是一个 NPN 二极管。
可以这样分析：VIN引脚漏电到地后，输入电流瞬间变为0，NPN集电极电流为0，引脚处电感L1的电压无法突变，形成反向感应电流，它倒回到销钉中。 引脚，导致NPN的发射极电流小于相线电流，PN结被击穿，功率芯片损坏。
