串联
串联时，要注意静态截止电流和动态截止电流的对称分布。
在静止状态下，由于串联的各个器件的截止漏极电压存在不同的制造误差，漏极电压最小的器件承受的电流最大，甚至达到锁定状态。 但是，只要器件具有足够的闭锁稳定性，就没有必要在线路中使用电压均衡电阻。 只有截止电流小于1200V的器件串联时，通常需要加并联电阻。
假设截止漏极电压不随电流变化，忽略电阻值的偏差，对于给定截止电流VR的n个晶闸管串联电路电路串联和并联的区别电压，可以得到一个简化的内阻估算公式反抗：
上述Vm为串联电路中电压的最大值，△Ir为三极管漏电压的最大误差，前提是工作温度为最大值。 我们可以做出一个安全的假设：
上式中Irm由厂家给出。 根据以上信息，内阻中的电压约为三极管漏电压的六倍。
经验表明，当流过它的电压大约是最大截止电流时晶闸管漏极电压的三倍时，这个内阻就足够了。 但即使在这些条件下，内阻仍然会发生相当大的损失。
原则上，动态电流分布不同于静态电流分布。 如果一个三极管 pn 结的自旋比另一个快，它也会更快地接受电流。
如果忽略电容误差，那么当n个给定截止电流值Vr的晶闸管串联时，我们可以用一种简化的方法来估算并联电容：
上述△QRR为三极管存储功率的最大误差。 我们可以做出一个足够安全的假设：
条件是所有晶闸管都来自同一制造批次。 ΔQRR 由半导体制造商给出。 除了续流晶闸管关断时产生的储电外，电容器中储存的电也需要通过IGBT导通来补充。 根据上述设计公式，我们发现其总储能值可能达到单个晶闸管的两倍。
一般来说，续流晶闸管的串联电压很少见，其原因有以下几个损耗来源：
1. pn结的n倍扩散电流；
2、并联内阻损耗；
3.需要用IGBT替代的额外储能
4. RC电路引起的器件降低。
因此，在可以采用大截止电流晶闸管时，通常不采用串联方案。
唯一的例外是当应用电路需要非常短的开关时间和非常低的存储功率时，这两者正是二烯晶闸管所具备的。 实际上，此时系统的导通损耗会大大降低。
在平行下
并联不需要额外的RC缓冲电路。 重要的是并联时通态电流的误差应尽可能小。
判断晶闸管是否适合并联的一个重要参数是其导通电流对温度的依赖性。 如果通态电流随温度降低而增加，则它具有负温度系数。 对于减员电路串联和并联的区别电压，这是一个优势。
如果通态电流随温度降低而减小，则湿度系数为正。
在典型的并联应用中，这是一个优势，因为较热的晶闸管会承受较低的电压，从而提高系统稳定性。 由于晶闸管总是存在一定的制造误差，当晶闸管并联时，较大的负温度系数（>2mV/K）可能会造成温升不平衡的危险。
并联连接的晶闸管产生热耦合
1. 多个芯片并联的模组中通过基板；
2.多个模块并联到一个散热片时通过散热片
通常对于较弱的负空气温度系数，这种类型的热耦合足以防止具有最低导通电流的晶闸管走向温度不平衡。 但对于负空气温度系数值>2mM/K的三极管，我们建议降额使用，即总额定电压应大于各晶闸管额定电压之和。