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1、半导体元件核心知识：知识领域A：晶闸管与双极结型晶体管知识单元A1：第二章PN结晶闸管知识单元A2：第三章双极结型晶体管知识单元A3：第四章金属-半导体结知识领域B：场效应晶体管知识单元B1：第五章结型和金属-半导体场效应晶体管知识单元B3：第六章金属-氧化物-半导体场效应晶体管知识领域C：新型半导体光电子元件知识单元C1：第八章半导体太阳电板与光电晶闸管知识单元C2：第九章发光晶闸管与半导体激光器知识回顾第二章PN结晶闸管把握下述名词、术语和基本概念：PN结、突变结、线性缓变结、单边突变结、空间电荷区、耗尽近似、中性区、内建电场、内建电势差、势垒、正向注入、反
2、向抽取、扩散近似。分别采用费米基态和氮化物甩尾与扩散的观点解释PN结空间电荷区（SCR)的产生。正确画出热平衡和加展宽PN结的能带图。借助中性区电中性条件导入空间电荷区内建电势差公式。了解多项式求解单边突变结结SCR内建电场、内建电势、内建电势差和用尽层厚度。把握反展宽下突变结，用尽层厚度公式。了解理想PN结基本假定及其意义。导入长PN结和短PN结少子分布表达式。把握公式。解释理想PN结反向电压的来源。画出正、反展宽下PN结少子分布、电流分布和总电压示意图。理解并把握概念：正偏复合电压、反偏形成电压。理解低展宽下复合电压占优，随着电流降低扩散电压越来越成为主要成份
3、。第二章PN结晶闸管了解形成隧洞电压的条件。画出能带图解释隧洞晶闸管的IV特点。了解隧洞晶闸管的特性和局限性。把握概念：用尽层电容、求杂质分布、变容晶闸管。把握CV关系及其应用。概念：交流导纳扩散浊度扩散内阻扩散电容等效电路了解晶闸管的开关特点。把握晶闸管的击穿机制。第二章PN结晶闸管第三章双极结性晶体管了解晶体管的基本结构及其制做工艺。把握四个概念：注射效率、基区输运因子、共栅极电压增益、共发射极电压增益了解典型BJT的基本结构和工艺过程。把握BJT的四种工作模式。画出BJT电压份量示意图，写出各极电压及其互相关系公式。分别用能带图和氮化物输运的
4、观点解释BJT的放大作用。解释理想BJT共栅极联接和共发射极联接的输出特点曲线。理解理想双极结型晶体管的基本假定及其意义。写出发射区、基区、集电区少子满足的扩散多项式并解之求出少子分布。把握正向有源模式基区输运因子公式。把握正向有源模式基区电子电压公式。了解EM多项式中四个参数的化学意义按照EM多项式写出四种模式下发射极电压和基极电压表达式。理解并记忆BJT四种工作模式下的少子分布边界条件画出BJT四种工作模式下少子分布示意图。了解缓变基区晶体管基区输运因子的估算。理解电压聚集效应和基区长度调变效应。第三章双极结性晶体管把握概念：频度响应、共栅极截至频度、共发射极截至频度、特征频度（带
5、宽）、基区渡越时间导入基区渡越时间公式。解释科尔克效应。了解晶体管的开关特点。熟悉晶体管穿通机制。第三章双极结性晶体管第四章金属半导体结了解金属半导体接触出现两个最重要的效应画出热平衡情况下的肖特基势垒能带图。把握肖特基势垒、内建电势差和空间电荷区长度估算公式。画出加展宽的的肖特基势垒能带图，解释肖特基势垒晶闸管的检波特点。理解界面态和镜像力对肖特基势垒高度的影响。把握概念：表面势、热电子、热自旋晶闸管、里查森常数、有效里查森常数。导入半导体表面自旋含量表达式。导入电压电流特点李查德杜师曼多项式。了解MIS肖特基晶闸管工作原理。把握结型晶闸管相比肖特基势垒晶闸管的主要
6、特点。了解肖特基势垒晶闸管的主要应用。把握欧姆接触概念和产生欧姆接触的条件。第五章结型场效应晶体管与MS场效应晶体管画出JFET的基本结构示意图。熟悉JFET的基本工作原理。熟悉沟道夹断、漏电压饱和、夹断电流等概念。把握理想JFET的基本假定及其意义。导入夹断前JFET的IV特点多项式。深入理解沟道夹断和夹断电流的含意。把握线性区条件和IV特点。把握饱和区条件和IV特点。把握沟道宽度调制效应。把握GaAs的突出特征。把握JFET和的主要类型。了解理想MOS结构基本假定及其意义。依据电磁场边界条件导入空间电荷与电场的关系。把握自旋积累、耗尽和反型和强反型
7、的概念。正确画出流子积累、耗尽和反型和强反型四种情况的能带图。导入反型和强反型条件。把握理想MOS系统的电容电流特点。导入用尽层厚度和归一化MOS电容表达式。把握沟道浊度公式。把握阀值电流公式。了解在氢氧化铝、二氧化硅硅界面系统存在的电荷及其主要性质。把握实际阀值电流的公式及各项的意义。导入萨支唐多项式。理解夹断条件的数学意义。第六章金属-氧化物-半导体场效应晶体管把握交流小讯号参数并导入线性导纳和饱和区跨导表达式。强调增强工作频度或工作速率的途径。把握场效应晶体管的类型。第六章金属-氧化物-半导体场效应晶体管第八章半导体太阳电瓶和光电晶闸管把握概念：光生伏打效应、暗电压。
8、理解光生电动势的形成。画出理想太阳电瓶等效电路图。按照电瓶等效电路图写出了太阳电瓶的IV特点多项式。了解太阳电瓶的I-V特点曲线，解释该曲线所包含的化学意义。画出实际太阳电瓶等效电路图按照等效电路图写出IV特点多项式。把握概念：转换效率、占空质数。导入太阳电瓶的最大输出功率公式。了解光形成电压和搜集效率。把握提升提升太阳电瓶效率的主要举措。了解光电晶闸管的工作原理。了解P-I-N光电晶闸管的工作原理的基本结构、能带图和工作原理。了解P-I-N光电晶闸管中。把握概念：量子效率、响应度、响应速率。列举光电晶闸管与太阳电瓶的三个主要不同之处。第八章半导体太阳电瓶和光电晶闸管把握幅射复合和非幅射复合的概念和机制。了解LED基本结构、工作过程和特点参数，了解各类不同类型LED。理解等电子圈套复合，解释等电子圈套复合能提升半导体材料的发光效率的缘由。解释各类俄歇过程。画出能带图说明LED的发光机制。把握LED外量子效率和内量子效率概念。第八章发光晶闸管
