2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁阻”效应的物理学家。 材料的电阻随着磁场的加强而增加的现象称为磁阻效应。 这种效应可以用来测量磁感应强度。 若图10-24为某磁电阻器在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，则RB和R o 分别表示该磁电阻器有磁场和无磁场时的阻值。 为了测量磁感应强度B，需要首先测量磁阻在磁场中的电阻值RB。 请根据要求完成下列实验。
(1)设计一个可以测量磁阻在磁场中的电阻的电路，并画出图10-25虚线框中的实验电路原理图（给出了磁阻及其所在的磁场） ，而待测磁场的磁感应强度大小约为0.6~1.0T，不考虑磁场对电路其他部分的影响）。 所要求的误差很小。
提供的设备如下：
A、磁阻，无磁场时电阻R o =150Ω
B.滑动变阻器R，满阻约为20Ω
C。 电流表A，量程2.5mA，内阻约30Ω
D． 电压表V，量程3V材料物理学家，内阻约3kΩ
E．直流电源E、电动势3V、内阻不计
F.开关S、一些电线
(2)正确接线后，将磁阻放入待测磁场中。 测量数据如下：
紫外线）
0.00
0.45
0.91
1.50
1.79
2.7升
我是一个）
0.00
0.30
0.60
1.00
1.20
1.80
根据上表，可以得到磁阻测量值RB=Ω。 结合图1可知，待测磁场的磁感应强度为B=。
（3）有同学查阅相关资料时，看到图10-26所示的磁电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线材料物理学家，关于纵轴对称。 从这张图中可以得出什么结论？
