[编辑本段]场效应管是根据三极管原理发展起来的新一代放大元件。 它具有三种极性：栅极、漏极和源极。 其特点是栅极内阻极高，采用二氧化硅材料，可达数百兆欧，是一种压控器件。 [编辑本段]1.概念：场效应晶体管场效应晶体管（Field缩写（FET））简称场效应晶体管。 大多数载流子参与传导，又称单极晶体管。 它是一种电压控制的半导体器件。
特征：
具有输入电阻高（100MΩ～1000MΩ）、低噪声、低功耗、动态范围大、易于集成、无二次击穿、安全工作区宽、热稳定性好等优点。 现已成为双极型晶体管和功率晶体管的有力竞争对手。
影响：
场效应管可用于放大。 由于场效应管放大器的输入阻抗很高，耦合电容可以采用较小的容量，无需使用电解电容。
场效应晶体管可用作电子开关。
场效应管的高输入阻抗非常适合阻抗变换。 常用于多级放大器的输入级，进行阻抗变换。 场效应管可用作可变电阻。 场效应管可以方便地用作恒流源。 [编辑本段]2、场效应晶体管的分类：场效应晶体管分为结型和绝缘栅型（MOS）两大类。
按沟道材料：结型和绝缘栅型分为N沟道和P沟道两种。
按导电模式分：耗尽型和增强型，结型场效应晶体管都是耗尽型，绝缘栅场效应晶体管都是耗尽型和增强型。
场效应晶体管可分为结型场效应晶体管和MOS场效应晶体管，其中MOS场效应晶体管又分为四类：N沟道耗尽型和增强型； P沟道耗尽型和增强型。 [编辑本段]3、场效应管主要参数：
Idss——饱和漏源电流。 是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中栅极电压UGS=0时的漏源电流。
向上 — 夹断电压。 是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中漏源连接刚刚切断时的栅极电压。
Ut——开启电压。 是指增强型绝缘栅场效应晶体管刚刚漏源连接时的栅极电压。
gM——跨导。 它代表栅源电压UGS——控制漏极电流ID的能力，即漏极电流ID的变化与栅源电压UGS的变化之比。 gM是衡量场效应晶体管放大能力的重要参数。
BVDS——漏源击穿电压。 是指在栅源电压UGS一定的情况下，场效应管正常工作时所能承受的最大漏源电压。 这是一个限制参数，施加到场效应晶体管的工作电压必须小于BVDS。
PDSM——最大功耗，也是一个限制参数，是指在不恶化场效应管性能的情况下允许的最大漏源耗散功率。 使用时场效应管的实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。 数量。
IDSM - 最大漏源电流。 它是一个极限参数，是指场效应管正常工作时漏极和源极之间允许通过的最大电流。 场效应管的工作电流不应超过IDSM
Cds---漏源电容
Cdu---漏极-基板电容
Cgd---栅漏电容
Cgs---漏源电容
Ciss---栅极短路共源输入电容
Coss---栅极短路共源输出电容
Crss---栅极短路共源极反向传输电容
D---占空比（占空因数、外围电路参数）
di/dt---电流上升率（外电路参数）
dv/dt---电压上升率（外电路参数）
ID---漏极电流(DC)
IDM——漏极脉冲电流
ID(on)---通态漏极电流
IDQ---静态漏极电流（射频功率管）
IDS——漏源电流
IDSM——最大漏源电流
IDSS---栅源短路时的漏电流
IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）
IG---栅极电流（直流）
IGF——正向栅极电流
IGR---反向栅极电流
IGDO---源极开路时，栅极电流截止
IGSO---漏极开路时，栅极电流被切断
IGM——栅极脉冲电流
IGP——栅极峰值电流
IF——二极管正向电流
IGSS---漏极短路时切断栅极电流
IDSS1---对管第一管漏源饱和电流
IDSS2---对管第二管漏源饱和电流
Iu---基片电流
Ipr---电流脉冲峰值（外部电路参数）
gfs——正向跨导
Gp---功率增益
GPS---共源中性高频功率增益
GpG---共栅中性高频功率增益
GPD---共漏极中高频功率增益
ggd---栅漏电导
gds——漏源电导
K---失调电压温度系数
Ku---传输系数
L---负载电感（外电路参数）
LD——漏极电感
Ls---源极电感
rDS——漏源电阻
rDS(on)---漏源通态电阻
rDS(of)---漏源断态电阻
rGD---栅漏电阻
rGS---栅源电阻
Rg---栅极外部电阻（外部电路参数）
RL---负载电阻（外部电路参数）
R(th)jc---结壳热阻
R(th)ja---连接环热阻
PD——漏极功耗
PDM---漏极最大允许功耗
PIN--输入电源
POUT——输出功率
PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）
to(on)---激活延迟时间
td(off)---关闭延迟时间
ti---上升时间
吨---开放时间
toff---关闭时间
tf——下降时间
trr---反向恢复时间
Tj---结温
Tjm---最高允许结温
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Tstg---储存温度
VDS---漏源电压（直流）
VGS---栅源电压（直流）
VGSF--正向栅源电压（直流）
VGSR---反向栅源电压（DC）
VDD---漏极（直流）电源电压（外围电路参数）
VGG---门极（直流）电源电压（外电路参数）
Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）
VGS(th)---开启电压或阀电压
V(BR)DSS---漏源击穿电压
V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压
VDS(on)---漏源通态电压
VDS(sat)---漏源饱和电压
VGD---栅漏电压（直流）
Vsu---源基板电压（直流）
VDu---漏极基板电压(DC)
VGu---栅极衬底电压（直流）
Zo---驱动源内阻
η---漏极效率（射频功率管）
Vn---噪声电压
aID——漏极电流温度系数
ards---漏源电阻温度系数[编辑本段] 4、结型场效应管引脚标识：
确定栅极G：将万用表置于R×1k量程，将万用表负极接任意一电极，用另一表笔依次接触另外两极，测量电阻。 如果两次测得的电阻值近似相等，则说明负极表笔与栅极接触，另外两个电极为漏极和源极。 漏极和源极互换。 如果两次测量的电阻很大，则为N沟道； 如果两次测得的电阻值都很小，则为P沟道。
确定源极S和漏极D：
源极和漏极之间有一个PN结。 因此，可以根据PN结正向和反向电阻的差异来识别S极和D极。 使用交换表笔法测量电阻两次。 电阻值较低（一般为几千欧姆到一万多欧姆）的就是正向电阻。 此时黑表笔接S极，红表笔接D极。 [编辑本段]5.场效应管与晶体管的比较。 场效应晶体管是电压控制元件，晶体管是电流控制元件。 当只允许从信号源取出少量电流时，应选择场效应晶体管； 当信号电压较低且允许从信号源取出较大电流时，应使用场效应晶体管。 选择晶体管。
晶体管和场效应晶体管的工作原理完全不同，但各个极点可以近似对应，以方便理解和设计：
晶体管：基极发射极集电极
场效应晶体管：栅源漏
需要注意的是，晶体管（NPN型）的发射极电位设计为低于基极电位（约0.6V），场效应晶体管的源极电位高于栅极电位（约0.4V） 。
场效应晶体管利用多数载流子导电，因此称为单极型器件，而晶体管同时利用多数载流子和少数载流子导电，因此称为双极型器件。
一些场效应晶体管的源极和漏极可以互换使用，栅极电压可以是正的，也可以是负的，这使得它们比晶体管更灵活。
场效应晶体管可以在很小的电流和很低的电压条件下工作，其制造工艺可以很容易地将许多场效应晶体管集成在一块硅芯片上。 因此，场效应晶体管在大规模集成电路中得到了普及。 应用范围广泛。
1、场效应晶体管的结构原理及特点。 场效应晶体管有结型和绝缘栅两种结构。 每个结构有两个导电沟道，N沟道和P沟道。
1.结型场效应晶体管（JFET）
(1)结构原理 其结构及符号如图1所示，在N型硅棒的两端引出两个电极，即漏极D和源极S，并在其两侧制作P区。硅棒形成两个PN结，在P区引出电极并将其连接起来，称为栅极Go。 这形成了N沟道场效应晶体管。
图1 N沟道结构场效应晶体管的结构及符号
由于PN结中的载流子已经耗尽，PN结基本不导电，形成所谓的耗尽区。 从图1可以看出，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压变得越负，PN结界面形成的耗尽区越厚场效应，漏极和源极之间的导电沟道越窄，并且漏极电流ID越小； 相反，如果栅极电压不是那么负，则沟道变宽，ID变大，因此栅极电压EG可以用来控制漏极电流ID的变化。 也就是说，场效应晶体管是电压控制元件。
(2)特性曲线
1) 传输特性
图2(a)所示为N沟道结型场效应晶体管的栅极电压-漏电特性曲线，称为传输特性曲线。 它与电子管的动态特性曲线非常相似。 当栅极电压VGS=0时漏源电流。 以IDSS为代表。 当VGS变为负值时，ID逐渐减小。 ID接近于零的栅极电压称为夹断电压，用VP表示。 在0≥VGS≥VP区间，ID与VGS的关系可近似表示为：
ID=IDSS(1-|VGS/VP|)
其跨导gm为：gm=(△ID/△VGS)|VDS=常微(微欧)|
式中：△ID------漏极电流增量（微安）
------△VGS-----栅源电压增量（伏）
图2 结型场效应晶体管特性曲线
2) 漏极特性（输出特性）
图2(b)所示为场效应晶体管的漏极特性曲线，与晶体管的输出特性曲线非常相似。
①可变电阻区（图中I区）。 在I区，VDS比较小，通信电阻随栅极电压VGS的变化而变化，因此称为可变电阻区。 当栅极电压恒定时，通信电阻为恒定值，ID随VDS近似线性增加。 当VGS < VP时，漏极和源极之间的电阻很大（关闭）。 IP=0； 当VGS=0时，漏源间电阻很小（导通），ID=IDSS。 这一特性赋予了场效应晶体管开关功能。
②恒流区（II区） 当漏极电压VDS继续增大到VDS>|VP|时，达到饱和值后漏极电流和IP基本保持不变。 该区域称为恒流区或饱和区，这里不同VGS的漏极特性曲线近似平行线，即ID和VGS呈线性关系，因此也称为线性放大区。
③击穿区（图中III区） 如果VDS继续增大，超过PN结所能承受的电压而被击穿，则漏极电流ID突然增大。 如果不采取限制措施，管子就会烧坏。
2、绝缘栅场效应管
它由金属、氧化物和半导体组成，因此又称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管，简称MOS场效应晶体管。
(一)结构原理
其结构、电极及符号如图3所示。它采用P型薄硅片作为衬底，其上扩散有两个高杂质N型区域作为源极S和漏极D。硅片表面在晶圆上覆盖一层绝缘层，然后用金属铝引出电极G（栅极）。 由于栅极与其他电极绝缘，故称为绝缘栅场效应晶体管。
图3 N沟道（耗尽型）绝缘栅场效应晶体管结构及符号
在制造管子时，通过该过程，绝缘层中会出现大量正离子，因此可以在界面的另一侧感应出更多的负电荷。 这些负电荷连接高渗透性杂质的 N 区，形成导电沟槽。 沟道中，即使VGS=0，也有很大的漏极电流ID。 当栅极电压变化时，沟道中感应的电荷量也变化，导电沟道的宽度也相应变化。 因此，漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
场效应晶体管有两种类型：栅极电压为零时漏极电流较大的场效应晶体管称为耗散型。 当栅极电压为零时，漏极电流也为零，必须加上一定的栅极电压。 漏极电流靠后的称为增强型。
(2)特性曲线
1）传输特性（栅极电压----漏电特性）
图4(a)显示了N沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管的传输行为曲线。 图中，Vp为夹断电压（栅源截止电压）； IDSS 是饱和漏电流。
图4(b)所示为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管的传输特性曲线。 图中，Vr为导通电压。 当栅极电压超过VT时，漏极电流开始显着增加。
2) 漏极特性（输出特性）
图5(a)所示为N沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管的输出特性曲线。
图5(b)所示为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管的输出特性曲线。
图4 N沟道MOS场效应管传输特性曲线
图5 N沟道MOS场效应管输出特性曲线
此外，还有N衬底P沟道场效应晶体管（见图1），也分为耗尽型和增强型两种。
各种场效应器件的分类、电压符号及主要伏安特性（传输特性、输出特性）2、场效应晶体管主要参数
1. 夹断电压VP
当VDS为某一固定值时，使IDS等于某一小电流，施加在栅极上的偏置电压VGS即为夹断电压VP。
2、饱和漏电流IDSS
当源极和栅极短路时，漏极和源极之间施加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS。
3、击穿电压BVDS
表示漏极和源极之间可以承受的最大电压，即漏极饱和电流开始上升并进入击穿区时对应的VDS。
4.直流输入电阻RGS
在一定的栅源电压下，栅极与源极之间的直流电阻用流过栅极的电流来表示。 结型场效应晶体管的RGS可以达到欧姆级，而绝缘栅场效应晶体管的RGS可以达到000多欧元。
5.低频跨导gm
引起这种变化的漏极电流微变量与栅源电压微变量之比称为跨导，即
gm= △ID/△VGS
它是衡量场效应晶体管栅源电压控制漏极电流能力的参数。 也是衡量放大效果的重要参数。 该参数通常对多少微安（μA/μA/V）或毫安（mA/V）敏感
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金属氧化物半导体场效应晶体管的基本工作原理是依靠半导体表面的电场效应感应半导体中的导电沟道来工作。 当栅极g电压vg升高时，p型半导体表面的多数载流子和空穴减少并耗尽，而电子则积累成反型。 当表面达到反型时，电子积累层将在n+源区s和n+漏区d中形成导电沟道。 当vds≠0时，源极和漏极流过较大的电流ids。 使半导体表面达到强反转状态所需的栅源电压称为阈值电压vt。 当vgs>vt并取不同值时，反型层的电导率会发生变化，在vds下会产生不同的id，实现栅源电压vgs对源漏电流ids的控制。
场效应晶体管（FET）是一种单极半导体器件，其电场效应控制电流的大小。 其输入端基本没有电流或电流很小。 具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点。 用于大规模和超大规模集成电路。
场效应管类似于双极三极管，电极之间的对应关系为b®g、e®s、c®d； 场效应管组成的放大电路也与三极管放大电路类似。 三极管放大电路的基极有偏置电流（Bias ），而场效应管放大电路的场效应管栅极没有电流，而场效应管放大电路的栅极有合适的偏置电压（偏置电压）。
场效应管组成的放大电路与晶体管放大电路的主要区别：场效应管是压控器件，依靠栅源电压的变化来控制漏极电流的变化，放大是通过跨导来实现的； 晶体管是电流控制器件。 集电极电流的变化由基极电流的变化控制，放大效果由电流放大倍数决定。
场效应晶体管放大器电路分为三种配置：共源极、共漏极和共栅极。 分析这三种配置时，可以将它们与双极型晶体管的共发射极、共集电极、共基极进行比较，了解两者的异同。
什么是场效应晶体管及其作用是什么？
场效应管的作用 1.场效应管可用于放大。 由于FET放大器的输入阻抗非常高，因此耦合电容可以很小，并且不必使用电解电容。 2、场效应晶体管的高输入阻抗非常适合阻抗变换。 常用于多级放大器输入级的阻抗变换。 3、场效应管可用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5.场效应晶体管可用作电子开关。
什么是场效应晶体管？ 它的原理和作用是什么？
1、场效应晶体管（FET）是一种利用输入环路的电场效应来控制输出环路电流的半导体器件。 它是一种电压控制的半导体器件。 具有输入电阻高（107~1015Ω）、低噪声、低功耗、动态范围大、易于集成、无二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
2、场效应晶体管的工作原理是“利用流过漏极和源极之间沟道的ID，用栅极和沟道之间的pn结形成的反向偏置栅极电压来控制ID”。
更准确地说，ID流路的宽度，即沟道截面积，是通过pn结反向偏压的变化来控制的，从而导致耗尽层的扩展发生变化。 在VGS=0的不饱和区域，过渡层的膨胀不是很大。 根据漏极和源极之间施加的VDS电场，源极区的部分电子被拉离漏极，即从漏极有电流ID流向源极。
从栅极延伸到漏极的过渡层阻挡了部分沟道，导致ID饱和。 这种状态称为夹断。 这意味着过渡层阻挡了部分沟道，而不是电流被切断。
由于过渡层中没有电子和空穴的自由运动，因此在理想条件下几乎具有绝缘特性，通常很难有电流通过。 但此时漏极和源极之间的电场实际上是接触漏极和栅极下部的两个过渡层。 被漂移电场牵引的高速电子穿过过渡层。 ID的饱和现象是由于漂移电场的强度几乎不变而发生的。
其次，VGS向负方向变化，令VGS=VGS(off)。 此时，过渡层大致覆盖了整个区域。 而且，VDS的大部分电场都加在过渡层上，拉动电子向漂移方向的电场只有靠近源极的一小部分，导致电流无法流动。
3、功能：
1.可采用场效应管进行放大。 由于FET放大器的输入阻抗非常高，因此耦合电容可以很小，并且不必使用电解电容。
2、场效应晶体管的高输入阻抗非常适合阻抗变换。 常用于多级放大器输入级的阻抗变换。
3.场效应晶体管可用作可变电阻。
4、场效应晶体管可以方便地用作恒流源。
5.场效应晶体管可用作电子开关。
扩展信息
场效应晶体管和三极管各自的应用特点
1、场效应晶体管的源极s、栅极g、漏极d分别对应晶体管的发射极e、基极b、集电极c。 它们的功能相似。
2、场效应管是压控电流器件，iD由vGS控制，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差； 晶体管是电流控制的电流器件，iC受iB（或iE）控制。
3. 场效应晶体管的栅极几乎不消耗电流（ig » 0）； 而三极管工作时，三极管的基极总是吸取一定的电流。 因此，场效应晶体管的栅极输入电阻高于三极管的输入电阻。
4、场效应晶体管是由参与传导的多载流子构成的； 晶体管有两种载流子，即多载流子和少数载流子，它们参与传导。 少数载流子的浓度受温度、辐射等因素影响较大。 因此，场效应晶体管比晶体管具有更好的温度稳定性和电阻。 辐射能力强。 当环境条件（温度等）变化较大时应使用场效应管。
5、场效应晶体管的源极金属和衬底连接在一起时，源极和漏极可以互换使用，特性变化很小。 但三极管的集电极和发射极互换使用时，特性有很大不同。 如果该值很大，β值就会减小很多。
6、场效应管的噪声系数很小。 场效应管宜用于低噪声放大电路和要求高信噪比的电路的输入级。
7、场效应晶体管和晶体管都可以组成各种放大电路和开关电路，但前者由于制造工艺简单、功耗低、热稳定性好、工作电源电压范围宽而广泛应用于大规模应用。 规模和超大规模集成电路。
8、晶体管的导通电阻大，而场效应晶体管的导通电阻小，只有几百毫欧。 目前的电气器件中，一般采用场效应晶体管作为开关，其效率比较高。
参考：百度百科-场效应管
各种场效应晶体管有哪些不同的特性和作用？
一、场效应管的结构原理及特点
场效应晶体管有结型和绝缘栅两种结构。 每个结构有两个导电沟道，N沟道和P沟道。
1.结型场效应晶体管（JFET）
（1）结构原理：从N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极，在硅棒两侧制作P区，形成两个PN结。 电极在P区引出并连接，称为栅极Go，从而形成N沟道场效应晶体管。 由于PN结中的载流子已经耗尽，PN结基本不导电，形成所谓的耗尽区。 当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结界面形成的耗尽区越厚，漏极和源极之间的导电沟道越窄，漏极电流ID越小。是; 相反，如果栅极电压不是那么负，则沟道变宽，ID变大，因此可以利用栅极电压EG来控制漏极电流ID的变化。 也就是说，场效应晶体管是电压控制元件。
2、绝缘栅场效应管
它由金属、氧化物和半导体组成，因此又称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管，简称MOS场效应晶体管。
(一)结构原理
其结构采用P型薄硅片作为衬底，其上扩散有两个高杂质N型区域作为源极S和漏极D。硅片表面覆盖一层绝缘层，然后使用金属铝引出电极G(栅极)。 由于栅极与其他电极绝缘，故称为绝缘栅场效应晶体管。 在制造管子时，通过该过程，绝缘层中会出现大量正离子，因此可以在界面的另一侧感应出更多的负电荷。 这些负电荷连接高渗透性杂质的 N 区，形成导电沟槽。 沟道中，即使VGS=0，也有很大的漏极电流ID。 当栅极电压变化时，沟道中感应的电荷量也变化，导电沟道的宽度也相应变化。 因此，漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
场效应晶体管有两种类型：栅极电压为零时漏极电流较大的场效应晶体管称为耗散型。 当栅极电压为零时，漏极电流也为零，必须加上一定的栅极电压。 漏极电流靠后的称为增强型。
各种场效应器件的分类、电压符号及主要伏安特性（传输特性、输出特性）2、场效应晶体管主要参数
1. 夹断电压VP
当VDS是一定的固定值时，使ID等于某个小电流时，应用于门的偏置电压VG是捏电压VP。
2.饱和泄漏当前IDSS
当源和门被短路时，当排水管和源之间施加的电压大于VP时，排水电流称为IDSS。
3.故障电压BVD
指示在排水和源之间可以耐受的最大电压，即当排水饱和电流开始上升并进入崩溃区域时的相应VD。
4. DC输入电阻RGS
在特定的栅极源电压下，栅极和源之间的直流电阻由流过门流的电流表示。 连接场效应晶体管的RGS可以达到欧姆，而绝缘栅场效应晶体管的RGS可以达到超过000欧元。
5.低频跨导性GM
导致这种变化的栅极电压的微量径流的微流量与栅极源电压的微量之比称为跨导率，即
gm =△id/△vgs
它是一个参数，可测量磁场效应晶体管控制排水电流的能力。 它也是测量扩增效果的重要参数。 该参数通常对多少微型（μA/μA/V）或毫安（ma/v）敏感。
1.现场效应管可用于扩增。 由于FET放大器的输入阻抗非常高，因此耦合电容器可能很小，并且不必使用电解电容器。
2.场效应晶体管的高输入阻抗非常适合阻抗转化。 它通常用于在多阶段放大器的输入阶段进行阻抗转换。
3.现场效应管可用作可变电阻器。
4.现场效应管可以轻松用作恒定电流源。
5.场效应晶体管可用作电子开关。
如今，越来越多的电子电路正在使用现场效应晶体管。
在音频领域尤其如此。 现场效应晶体管与晶体管不同。 它们是电压控制的设备（晶体管是电流控制的设备）。 它们的特性更像是电子管的特征。 它们具有很高的输入阻抗和大量功率。 ，因为它是电压控制的设备，所以它的噪声低。 它的结构图如图Ca所示。 场效应晶体管是单极晶体管。 它只有一个PN连接。 在零偏置状态下，它是导电的。 如果在门（g）和源（s）之间应用反向偏置电压（称为门偏置）。 在反向电场的作用下，PN变厚（称为耗尽区域），并且通道变窄。 漏极电流将变小（如图C1-B所示）。 当反向偏置电压达到一定水平时，耗尽区域将完全捏合通道。 目前，现场效应晶体管进入截止状态，如图CC所示。 目前，我们称之为前向偏置电压的反向偏置为VPO代表的捏电压。 它与栅极电压VGS和排水源VD的关系可以表示为VPO = VPS+| VGS |，其中| VGS | 是VG的绝对值。 当制造现场效应晶体管时，如果在添加栅极材料之前将薄薄的绝缘层添加到通道中，则栅极电流将大大降低，并且其输入阻抗将大大增加。 由于存在该绝缘层，晶体管晶体管可以以积极的偏置状态起作用。 我们称该场效应晶体管为绝缘门场效应晶体管，也称为MOS场效应晶体管。 因此，有两种类型的场效应晶体管，一种是绝缘的门场效应晶体管，可以在反向偏置，零偏置和正向偏置状态下起作用。 另一个是接口门场效应晶体管，只能以反向偏置状态起作用。 绝缘门型场效应晶体管分为两种类型：增强类型和耗竭类型。 我们称之为在正常情况下打开的人称为耗尽型场效应晶体管，在正常情况下关闭的晶体管被称为增强型场效应晶体管。 效应晶体管的增强型场效应晶体管特性：当VGS = 0时，ID（漏极电流）= 0场效应，仅当VGS增加到一定值时才开始进行操作，并且产生了漏极电流。 当排水电流开始出现时，它也称为栅极源电压。 VGS是转交压的电压。 耗尽模式场效应晶体管的特征是，它可以在正栅极或负元来源电压（正或负偏置）下运行，并且栅极上基本上没有栅极电流（非常高的输入电阻）。 绝缘门场效应晶体管可用于使用连接门场效应晶体管的电路，但是在使用绝缘栅极增强磁场效应晶体管的电路中，连接栅极效果晶体管不能使用。
现场效应晶体管的功能是什么？
现场效应晶体管的作用
1.现场效应管可用于扩增。 由于FET放大器的输入阻抗非常高，因此耦合电容器可能很小，并且不必使用电解电容器。
2.场效应晶体管的高输入阻抗非常适合阻抗转化。 它通常用于在多阶段放大器的输入阶段进行阻抗转换。
3.现场效应管可用作可变电阻器。
4.现场效应管可以轻松用作恒定电流源。
5.场效应晶体管可用作电子开关。
场效应晶体管的功能是什么？ 此处引入了场效应晶体管的功能！ 感谢大家的阅读！ 希望对大家有帮助！
