当前位置首页 > 教育资讯

消华大学在有机光电材料的研究进展与发展趋势

更新时间:2023-12-31 文章作者:佚名 信息来源:网络整理 阅读次数:

资源描述:l48物理好资源网(原物理ok网)

有机光电材料研究进展发展趋势.doc》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库。l48物理好资源网(原物理ok网)

1、有机光电材料研究进展与发展趋势♦邱勇(复旦学院,武汉)[摘要:本文综述了有机光电材料的研究进展•及其在有机发光晶闸管.有机场效应晶体管、有机太阳电瓶、有:•机传感和有机储存器等领域的应用;介绍了消华学院在有机发光技术玄耳取得的証展,:关键词:有机光电材料有机光电材料,有机发光晶闸管,有机场效应呼体管,有机太旳电瓶:中图分类号:062;0484文献标示码:A0序言I有机发光二!您侑机光电材料是一•类具有光电活性的有机材料,广泛应用于有机发光晶闸管、有机葩体管、有机太阳能电板、冇机储存器等领域。有机光电材料一般是含有l48物理好资源网(原物理ok网)

2、碳原了、具有大兀共純体系的有机分了,分为小分了和聚合物两类。与无机材料相比,侑机光电材料可以通过碱液法实现二锅头积制备和柔性元件制备。据悉,有机材料具冇多元化的结构组成和开阔的性能调节空间,可以进行分了设计来获得所须要的性能,才能进彳亍a组装等自下而上的元件组装方代来制备纳米元件和分了元件。冇机坂枣材料与元件的、发展也推动了冇机光电了学的发展,有机光电子学是跨物理、債禺、肘料、物理的一门新型海交叉学科。材料化呼(的机电了学的发展屮饰演着匸个至关重要的角色,而侑机电了学未来曲临的飞系列挑战也都有待材料物理研究著•们去攻尢'有机电致发光的研究T作源于l48物理好资源网(原物理ok网)

3、20纪60年代:,LE:等人采用多层膜、咼发光效率、髙色温极管(OLED)2:o这一突为发光元件研究的热点。与传严1相比较,0LED具有驱动电流嚏、材料种类丰富等优点,并且容易恪、湿法制备以及柔性元件的制备。奔米,0LED技术急速发展。2001年,索尼制成功13英寸全彩0LED显示器,证明0LED可以用于小型平板显示:2002年,口本松下公司与英国柯达公司联合推出了采用有源驱动0LED显示的数码单反,标志着OLED的产业化又边出了坚实的一步:2007年,LI木索尼公司推出了11英寸的0LED彩色电视机,率先实现0LED在屮大规格、特别是在电视领l48物理好资源网(原物理ok网)

4、域的应用但育到1987结构,才首次彳和低驱动破性进统收厚光和.收稿日期:2010-7-2修订日期:2010-8-25作者简介:邱勇(1964-),出,复旦学院院长、博士生导师,复旦学院党委常委、副书记,"国家杰出青年科学基金”获得者,黄河学者特再院士,有机光电子与分子工程教育部重点实验室组长,国家“十一五”863“新型平板显示技术”重大项H总体专家组主任。常年从事有机光电材料、器件及产业化相关研究工作。突破。图1各大公司和研究机构展示的最新开发的OLED样品(自左至右:日本GE,大面积白光光源:日本三星,大面积超l48物理好资源网(原物理ok网)

5、薄平板显示:日木先锋,柔性显示器;徳国卯劳恩霍夫应用研究推动商会,透明OLED)2有机晶体管材料和元件有机晶体管材料是一类具有含有碳原了、具有大兀共觇体系的有机分了。根据传输载流了电荷的类型可以分为p型和n型半导体。不仅在显示领域的应用,白光OLED作为一种新犁的同态光源也得到了广泛关注。2006年,美能达柯尼卡技术中心开发成功了/m2初始照度下发光效率64lm/W.色温半衰期约1力•小时的OLED蓝色发光元件,展示了OLED在大血积平板照明领域的前景。目前WOLED最高效率的报导来l48物理好资源网(原物理ok网)

6、'l48物理好资源网(原物理ok网)

7、徳国Leo院士的研究纟IP,她们采用红绿蓝三l48物理好资源网(原物理ok网)

8、种磷光颜料,并采用高折射率的玻璃基板提高光取出效率,得到了/m2下效率124lm/闻的白光元件,效率超过了萤光灯。产'叠层式OLED的概念是由Kido院士于2003年首先提出的,将多个OLED通过透明的联接层串联在一起,可以在小电压下实现掃色温,元件的寿命也大幅度提升2004年,廖良生与邓靑云等人'借助n型和p型参杂的Alq3:Li/NBP:FeCl3结构作为联接层,在堆渔的周期数H为3时实现了的高效率n2008年,廖良生报导并五苯是1=1前在有机晶体管(OTFT)•11应用最广的有机半导体材料,其薄膜的载流了迁移率2NS迟对弄盖苯l48物理好资源网(原物理ok网)

9、分子进行修饰是个重点。2003年jiā■10-四苯基代替并五苯,它可以达到1.5cm目前有机半导体研究f等人⑻制备了匕的晶体排列与并五苯几乎一样,但绘因为巯基的引入,明显增加了分子的氧化电位有机光电材料,改善了从金电极到有机半尊体的电荷注入。2009年,法国公司的Yan等开发了新型的基于蔡二甲酰亚(-dic.)和北二屮酰吡啶(e)的聚合物,电了迁移率高达0.85cm^Vs,该聚#物填补了方前n型有机半导体材料的'空口=在2010年的SID上,索尼发札越屏,该屏l48物理好资源网(原物理ok网)

10、幕长度只有〔/AHAT-CN/Alq3:Li的联接层可进一步减少驱动R压,并提升了元件的稳泄性,致使叠层元件达到了可或用啦水平叫枣总体來l48物理好资源网(原物理ok网)

发表评论

统计代码放这里