洪朝胜
洪朝圣（1920年10月10日—2018年8月19日），著名物理学家，我国低温物理和低温技术研究的先驱。 1952年加入九三学社，1980年当选为中国科学院院士（院士）。
2018年8月19日，洪朝生因病在北京去世，享年98岁。
科学无国界，但科学家有祖国
1920年，洪潮声出生于北京。 其父洪馆焘早年加入同盟会，后赴法国、比利时留学八年，专攻铁路工程。 回国后，历任陇海铁路潼关至西安工程局局长、总工程师，铁道部路政司技术干事。 我的外祖父高孟丹是近代著名的出版家。
洪朝胜在北京育英学校和汇文中学两所教会学校度过了中学时代。 在汇文高中就读期间，在著名物理老师张培虎等人的指导下，他对物理产生了浓厚的兴趣，立志成为一名物理学家。 1936年，洪潮声考入清华大学物理系，但信奉“工科救国”的父亲坚决反对他学物理，要求他转学工科。 1937年抗日战争爆发后，清华大学南迁长沙。 他曾与同学商量去延安，但因交通堵塞等原因未能成行。 1938年，学校再次南迁，他随学校“湘黔滇游团”徒步3000多里来到昆明，到西南联大学习。 1940年联大大学毕业后，在该校电机系任助教四年。
1938年，湘黔滇旅行团第一中队和第二旅第一支队队员合影（前排左二为洪朝胜）
1944年，洪潮声通过耿耿助学考试，同时赴英国、美国留学。 在西南联大教师范绪军的建议下，1945年赴美国麻省理工学院学习电子物理，1948年获博士学位，后进入普渡大学从事研究。 在此期间，洪朝胜在半导体锗单晶低温输运现象实验中发现了杂质能级的传导现象，形成了杂质传导的概念，引发了国际上对无序电子输运机制的探索。系统。 其发表的论文参考寿命超过60年。
1950年，洪潮声（左）与邓稼先（右）在普渡大学合影。
1948年，九三学社圣人、“两弹一星”创始人邓稼先也到普渡大学深造，并与洪潮声成为挚友。 有一段时间，他们一起住在一位美国老太太的阁楼里。 虽然出国留学很辛苦，但还是会发生一些有趣的事情。 有一次他们去吃饭，两块牛排端上来后，邓稼先看着他们，对洪朝生说：“我的一块小，你的一块大。” 洪朝生把自己的那一份给了邓稼先。
在美国期间，洪潮生积极参加“北美中国学生联谊会”和“留学美国联谊会”的进步学生活动。 新中国成立时，他正在普渡大学留学。 他激动不已，按照《华侨报》转载的图案和制作说明，在方格纸上仔细地画出了五星级红旗的图案，表达了他对伟大祖国的热烈感情。
洪朝胜手绘五星红旗
在普渡大学期间，洪朝胜联系清华大学，了解回国后适合从事什么样的研究工作。 他收到了钱三强和彭焕武先生的回信，低温物理非常重要，我国也应该发展这一领域。 基础研究，并建议他再去西欧一年高中物理大师，增加低温物理知识。 于是，洪超胜进入荷兰莱顿大学以著名物理学家翁尼斯命名的低温实验室，从事超流氦的实验研究。 1952年初，洪潮生放弃国外的有利条件，毅然回国，投身于新中国低温事业的创建和发展。
多年后，当他的学生张殿林问他如果没有回到国会会怎样高中物理大师，是否会取得更大的学术成就时，洪朝生摇摇头说：“不会。” 他从未动摇或后悔回国的决定。
为祖国的科学研究奉献了一生
新中国成立后，我国低温物理领域完全是空白，无从谈起低温研究仪器。 当时中国没有液氦机，欧美国家也不愿意向中国出售液氦机。 洪朝胜根据这些设备的科学原理，进行了先进设备的自主研发。 1953年，洪潮生在中国科学院物理研究所建立了我国第一个低温实验室，并主持研制低温研究设备。 在科研人员的共同努力下，1956年研制出能够生产液氢的液化器，1959年成功液化氦。这些技术的掌握打破了西方国家的技术垄断，迈出了我国低能化的第一步。温度物理研究，为我国的科学研究，特别是“两弹一星”的研制成功做出了贡献。 1970年，他带领低温研究组完成了大型空间环境模拟系统KM3、KM4低温氦制冷系统的研制，为卫星发射提供了空间环境模拟试验条件，为我的航天事业发展做出了贡献。国家的航空航天工业。 “KM4大型航天环模装备的研制”获1985年国家科技进步一等奖。
20世纪80年代初，随着超导研究和航天技术的发展，国内对低温技术的需求不断增加。 中国科学院成立综合性低温技术研发机构“中国科学院低温技术实验中心”，开展氦制冷技术、低温技术实验技术和低温技术应用基础研究，洪超生被任命为该中心主任。
洪朝胜带领的科研团队除了开展磁制冷基础应用研究和制冷系统自动控制装置的研制外。 同时，他逐步建立了液氦实验室、低温强磁场实验室等一批向全国开放的公共实验。 该实验室为推动超导技术的进步提供了实验条件。 由于他在低温物理研究领域的杰出成就，国际低温工程委员会决定将2000年门德尔森奖授予洪超胜。 该奖项旨在表彰他在液氢、液氦和超导应用领域的杰出研究。 对能力的高度肯定。
九三学社科技大师为新中国半导体产业奠定基础
九三学社成立以来，秉承爱国、民主、科学的优良传统，聚集了一批在中国乃至世界有较大影响力的科技巨人。 洪朝生还与九三学社会员、我国固体物理和半导体物理先驱、中科院院士黄昆结下了深厚的友谊。
1941年黄昆从北京燕京大学毕业时合影
洪朝生与黄坤的关系可以追溯到20世纪40年代。 1944年，黄昆从西南联大研究生毕业，考入第八届“庚子赔款”公费留学英国。 物理学有两个名额，另一个名额被洪朝圣拿走了。 由于洪潮生也考入“庚子赔”公费赴美留学，最终选择去美国麻省理工学院留学。
1951年，黄昆从英国回到中国。 1952年，洪潮声从美国回到中国。 洪朝胜曾在美国对锗进行低温电学测量，提出了杂质导带的概念。 回国后，他在中国科学院应用物理研究所建立了低温实验室。 黄昆回国后，于1953年开始主持北京大学物理系固体物理教研室。因为他们对新兴半导体科学将发生的重大变革有着共同的认识和追求。给人类社会带来了影响，洪朝生与黄坤的交往逐渐增多。
1954年下半年，洪潮声、黄昆等物理学家就我国半导体科学的发展问题召开专题讨论会，每周一个下午进行讨论。 这项工作持续了很长时间。 1954年，北京大学物理系为半导体专业学生开设了“半导体物理”课程。 这门新兴课程由黄坤、洪超胜、王守武、唐定远联合授课。 许多从事“两弹一星”研究的科技人员都来自这里，或者听过他们的讲座。
周培源，中国科学院院士，我国理论物理学和现代力学奠基人之一
2010年6月，洪朝胜（左）与史昌旭（右）在中国科学院第十五次院士大会期间交流。
1956年1月30日至2月4日，“半导体物理研讨会”在中国科学院应用物理研究所礼堂举行。 会上，洪超生首先就半导体科学发展的一般性问题做了报告，随后黄坤等9位科学家就半导体重要领域的科学内容和发展概况做了报告。 对于这次研讨会，原九三学社中央主席、时任物理学会会长周培源院士在《半导体会议论文集》序言中总结道：“半导体的研究与利用是一个新兴的科学技术领域，直到近十几年来，科学先进国家投入了大量的人力、物力开发了这一领域，且速度不断加快。在我国，由于科学基础薄弱，不言而喻，解放前没有这方面的研究工作，解放后才有少数人开始准备半导体研究。但研究实力非常薄弱。 在我国1956年至1967年制定的《十二年科学技术发展远景规划》中，半导体技术被列为我国的一项新技术。 科技四项应急措施之一。
2018年8月19日，洪朝生度过了生命中最后的光芒。 大师虽然走了，但他的科技报国、求实创新、严谨务实的科学精神将被九三学社的会员们永远传承下去。 （杨勤东子）