半导体物理知识点总结包括以下几个部分：
1. 半导体材料：包括硅（Si）和锗（Ge）等元素半导体，以及掺杂的化合物半导体，如硅晶体管和砷化镓半导体。
2. 电子和空穴：半导体中的导电载流子有电子和空穴两种。在硅和锗等元素半导体中，参与导电的主要是自由电子。而在某些掺杂的化合物半导体中，参与导电的是自由电子和空穴。
3. PN结的形成：PN结是构成半导体器件的基础，通过扩散法或离子注入法制备PN结时，半导体中的多数载流子会在电场的作用下在界面处积聚，形成扩散区，同时耗尽区也形成。
4. 半导体中的电流和电压：半导体中的电流和电压的计算涉及到欧姆定律的应用，包括电流、电压、电阻等概念。
5. 半导体中的电场和载流子：半导体中的电场会影响载流子的运动，而载流子的运动又会影响电场。这两个因素是半导体中许多物理现象的基础。
6. 半导体中的光学特性：半导体中的光子能量可能会影响载流子的运动，从而影响半导体的性质。
7. 半导体器件的工作原理：半导体器件包括二极管、三极管、晶闸管等，它们的工作原理基于半导体中的电学、光学和热学特性。
8. 掺杂和隔离：半导体器件的制造需要用到掺杂和隔离技术。掺杂可以使半导体材料表现出特定的性质，而隔离则可以防止载流子泄漏。
以上就是半导体物理的一些主要知识点，希望对你有所帮助。
半导体物理知识点总结：PN结的形成与特性
一、知识点
3. 扩散电容：PN结中存在电容效应，包括扩散电容和漂移电容。
4. 半导体中的平衡少数载流子：在没有外加电压时，半导体中的载流子浓度是稳定的，即载流子的数量与其浓度成正比。
二、例题
【题目】在硅半导体中，加电压V1时测得P型半导体中空穴浓度为N1，N型半导体中电子浓度为N2。求外加电压V1对PN结的影响。
【解答】
根据PN结的形成原理，当在PN结两端加电压时，载流子将发生扩散运动形成空间电荷区，导致PN结出现内电场。
1. 在外加电压V1的作用下，P型半导体中的空穴将向N型半导体扩散，而N型半导体中的电子将向P型半导体扩散。
2. 随着时间的推移，空穴和电子的扩散将形成空间电荷区，导致PN结出现内电场。
3. 内电场将影响PN结的特性，包括其正向和反向特性以及击穿电压等。
综上所述，外加电压V1对PN结的影响主要体现在空间电荷区的形成和内电场的出现上。
【知识点应用】根据上述例题，在分析半导体二极管的工作原理时，需要考虑PN结的形成和特性。例如，当给半导体二极管加上正向电压时，PN结将呈现低阻抗状态，此时电流将通过PN结；而当给二极管加上反向电压时，PN结将呈现高阻抗状态，此时电流将无法通过PN结。这些特性与PN结的空间电荷区和内电场密切相关。
