半导体物理知识点包括：
1. 半导体基础知识：半导体的特性和种类，以及常见的半导体材料。
2. PN结：PN结的形成和特性曲线，以及PN结的正偏和负偏。
3. 半导体二极管：二极管的原理和特性，包括PN结二极管、PIN结构二极管、雪崩二极管等。
4. 半导体三极管：三极管的基本结构、电流放大作用和特性曲线，以及不同类型的三极管（NPN和PNP）。
5. 集成电路：半导体器件和元件的集成方式，以及集成电路的应用和发展。
6. 掺杂工艺：半导体器件制造过程中的掺杂工艺，包括掺杂原理、掺杂设备、掺杂工艺控制等。
7. 半导体中的载流子：半导体中的电子和空穴的运动和输运规律，以及浓度控制。
8. 光伏效应：半导体材料的光电效应和光伏效应原理，以及光伏器件的应用和发展。
9. 半导体中的缺陷：半导体材料中的缺陷种类和影响，以及与半导体性能的关系。
以上是半导体物理的一些主要知识点，这些知识对于理解半导体器件的工作原理和性能控制非常重要。
题目：请解释PN结的形成和其特性，并给出相关公式。
答案：PN结的形成是由于半导体材料（如硅或锗）中的电子和空穴受到扩散和漂移等电场力的影响，逐渐扩散和迁移到对方区域形成的。在PN结处，多数载流子（电子或空穴）积累达到一定程度后，形成势垒，阻止了载流子的进一步扩散。PN结的特性包括正向和反向导通性、温度特性、光照依赖性等。
相关公式：
1. 扩散电流密度Jd与温度T的关系：Jd=KmT^2/NA，其中Km是激活态密度，NA是有效原子数目。
2. 漂移电流密度Jq与电场E的关系：Jq=μEN，其中μ是迁移率，N是中性原子密度。
这些公式描述了PN结中的电流流动，说明了PN结的导电特性。需要注意的是，这些公式只是为了说明PN结的物理过程，实际应用中还需要考虑其他因素，如材料质量、温度、光照等。
