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[!--downpath--]2020中学数学大赛化学实验A实验原理YXZdB4312(1-1)K称为霍尔器件的灵敏度，它是一个重要参数，表示该器件在单位磁感应硬度和单位电压作用时霍尔电流的大小。假如霍尔器件的灵敏度K晓得（通常由实验室给出），测出电压和霍尔电流，就可以按照下式求出磁感应硬度B。上式中比列系数R称为霍尔系数，对同一材料R为一常数。因成品霍尔器件（按照霍尔效应制成的元件）d也是一常数。故R/d常用另一常数K来表示，有霍尔效应的解释ezv++++++++-------现研究一个宽度为L、宽度为d的N型半导体材料制成的霍尔器件。当沿X方向通以电压后，自旋（对N型半导体是电子）e将以平均速率v沿与电压相反的方向运动，在磁感应硬度为B的磁场中，电子将遭到洛仑兹力的作用，其大小为的方向可以由左手定则决定。在的作用下，电荷将在器件沿y的两端面堆积产生电场它会对自旋形成一静电力，其大小为它的方向与洛仑兹力相反，即它是制止电荷继续堆积。eV++++++++-------当和达到静态平衡后，有即于是电荷堆积的两端面（Z方向）的电势差为通过的电压可表示为式中n是电子含量，得（1-4）（1-5）=将代入可得可改写为该式与和式一致就是霍尔系数（1）厄廷豪森效应1887年厄廷豪森发觉，因为自旋的速率不相等，它们在磁场的作用下，速率大的遭到的洛仑兹力大，绕大圆轨道运动，速率小则绕小圆轨道运动，这样造成霍尔器件的一端较另一端具有较多的能量而产生一个纵向的气温梯度。
因此形成温差效应，产生电势差，记为其方向决定于和磁场B的方向，并可判定，一直同向。（2）能斯特效应由图所示因为输入电压端引线a、b点处的阻值不相等，通电后发热程度不同，使a和b两端之间出现热扩散电压，在磁场的作用下，在c、e两端出现纵向电场，由此形成附加电势差，记为。其方向与无关，只随磁场方向而变。（3）里纪-勒杜克效应因为热扩散电压的自旋的迁移率不同，类似与厄廷豪森效应中自旋速率不同一样，也将产生一个纵向的气温梯度，形成附加电势差，记为，其方向只与磁场方向有关，与同向。1不等电势差不等电势差是因为霍尔器件的材料本身不均匀，以及电流输入端引线在制做时不可能绝对对称地点焊在霍尔片的一侧，如图所示。因而，当电压流过霍尔器件时，在电极3、4间也具有电势差物理实验 霍尔效应，记为，其方向只随方向不同而改变，与磁场方向无关。3cece24副效应的清除按照以上副效应形成的机理和特性物理实验 霍尔效应，除厄廷豪森副效应外，其余的都可借助异号检测法去除影响，因此须要分别改变和B的方向，检测四组不同的电势差，之后做适当数据处理，而得到。取+B、+测得取+B、-测得取–B、+测得取–B、-测得消掉、和得由于，通常可忽视不计，所以实验内容检测通电长直螺线管内，轴线上一点随电枢电压而变化的磁场。
霍儿效应检测通电长直螺线管内，轴线上的磁场分布。表1X(mm)0.005.08.010.020.030.040.050.060.080.0100.050100150200250300350550数据处理依据估算B值，在座标纸上勾画B~X曲线，剖析螺线管内磁场分布规律。在记录的螺线管宽度L，阻值N和电枢电压代入B的公式中算出B理论值与X=10.0cm比较，剖析缘由勾画~B曲线，剖析电枢电压与磁感应硬度的关系。勾画~曲线，剖析工作电压与霍尔电流的关系。5.将实际检测的