元器件应用中如何区分晶闸管的直流内阻和动态内阻
半导体三极管是一种非线性元件，对直流和交流（或动态量）呈现不同的等效电阻值。 晶闸管的直流内阻是工作在伏安特性上某一点时，端电流与其电压的比值。 图（a）电路（b）晶闸管伏安特性及工作点Q（c）晶闸管在直流电源V作用下的直流内阻，该点对应三极管的电压ID和电流UD在晶闸管的两端称为静态工作点，该点对应的直流内阻为动态内阻，它以固定的直流电流和电压（即静态工作点Q）为基础，而交流信号ui使特性曲线在Q点附近的电流和电压的小范围内变化而形成。如果交流信号ui为低频，但幅值很小（一般称为低频小信号），则
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电子实验的最后准备（南油北院）
适用于计算机大学总院北苑电子钳工实验（一）课程【如无修订】内容包括：非线性内阻的伏安特性：发光晶闸管的使用，伏安关系曲线（导通点、稳压点、作图注意事项）戴维南电路和诺顿电路常用电子仪器实验：示波器、信号发生器等一阶电路的前馈响应：时间常数的估计和测量、记忆公式、作图实验波形，三元估计和检测方法 RLC串联谐振电路：公式，波形，设计，联发科/低通电路 晶体管的基本应用：限幅器，卷积电路，设计晶体管 单极电流放大电路：公式，设计，波形，失真原因、设计失真、示波器耦合形式 差分放大电路：九组公式、示波器耦合形式、示波器观察双端输出波形 集成采集器的线性应用和非线性应用：示波器耦合形式、示意图、公式 方波发生器彭氏回退检测器电路
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电子仿真实验报告
电子仿真实验报告实验 1.1 晶闸管电路仿真实验 1、实验目的 1）学习使用.0软件的技巧。 2）学会用直流扫描分析的方法验证晶闸管的伏安特性曲线。 3) 2.实验原理晶闸管具有双向导电性，其伏安特性是非线性的 3.实验形式（包括：理论估计、实验电路的创建、测试步骤、结果）图、表，公式如下： 图1 晶闸管正向测试电路（宋型，小五） 表1 晶闸管正向伏安特性检测数据 10% 20% 30% 50% 70% 90% 0..1530.7381.8403.4808.433 .. ..50685.142 实验结果分析 从仿真数据可以看出，晶闸管D的内阻值r不是一个固定值。 当加在两端的正向电流V大于导通电流U时，r呈现较大的正向内阻，此时通过的正向电压I特别小； 而当V小于导通电流U时，I大大减小，r也随之迅速减小，此时晶闸管工作在“正向导通区”。 晶闸管正向伏安曲线是非线性的。 (2)晶闸管反向伏安特性检测分析Rw10%50%80%850%Vd/v12.562.49099...533Id/mA0...=Vd/...75306.3455.7数据分析推断：可从仿真数据可以看出，晶闸管D的阻值r并不是固定值。
当加在其两端的反向电流V大于最高反向工作电流U时，内阻r很大，此时通过的反向电压I极小； 而当V小于最高反向工作电流U时非线性电阻的测量实验报告，I大大减小，r也随之迅速减小，此时晶闸管击穿。 晶闸管反向伏安曲线呈非线性 (2) 晶闸管单向限幅电路分析 仿真数据分析及其推论：晶闸管具有双向导电性。 从图中可以看出，当正向电流小于4.626V时，D1导通，当电流大于1.351V时，D2导通。 反过来，该电路具有单向限制作用。 实验1.2：晶体二极管输出特性仿真一：实验目的（1）学习使用虚拟伏安特性分析仪（IV-）观察二极管输出特性曲线（2）掌握二极管在输出端的电压放大倍数特性曲线 （三）掌握二极管输出特性曲线电路测试方法 2、实验原理 二极管是一种非线性器件，其特性曲线可分为三个区域：饱和区、放大区和截止区。 根据其伏安特性，可以看出二极管具有电压放大作用三：实验内容（1）用电测画出三极管的输出特性曲线（在图上画出三极管的输出特性曲线根据测得的数据在纸上，画在曲线上 求三极管工作点Q处的直流放大倍数）
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电路分析基础实验-电路器件伏安特性测绘.ppt
电路分析基础实验 电路器件伏安特性测绘 一、实验目的 1、学习常用电路器件的识别方法。 2、掌握线性器件和非线性器件的伏安特性测绘。 3、掌握DC钳工仪器设备在试验台上的使用。 2、原理描述 任何二端器件的特性都可以用器件上的端电流U与通过器件的电压I之间的函数关系I=f(U)来表示，即可以表示为IU平面上的一条曲线，这条曲线称为器件的伏安特性曲线。 1、线性内阻的伏安特性曲线是一条通过坐标原点的直线，如图a所示，直线的斜率等于内阻的内阻值。 2、普通白炽灯的钨丝在工作时处于低温状态，钨丝内阻随温度下降而减小。 通过白炽灯的电压越大，温度越高，电阻也越大。 “冷内阻”和“热内阻”的阻值可以相差几倍到十几倍，所以它的伏安特性如图中b曲线所示。 3、通常的半导体三极管是非线性内阻器件，其伏安特性如图中c所示。 正向压降很小（通常的锗管约为0.2-0.3V，硅管约为0.5-0.7V），正向压降随正向压降的减小而急剧上升，而反向电流仍在从零下降到十几伏到几十伏时，反向电压下降很小，可以简单的认为是零。可见晶闸管是双向导通的，但是反向电流增加了
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稳态滤波器RL串联电路参数在线辨识（2006）
【摘要】：为解决滤波器激励下具有丰富非线性特性的内阻和电感(RL)串联电路参数在线辨识问题,提出了一种提取伏安曲线几何特征和广义磁链迹线进行参数辨识的新技术。建议的。 该方法采用最小二乘相加法定义伏安曲线的斜率和广义磁通轨迹的复图，通过直线拟合直接识别参数。 从端口能量和功率的角度，讨论了算法的化学性质。 实验结果表明，该算法具有识别准确率高、计算量小、易于递归等优点，适用于动态实时在线识别，克服了传统基于变换的方法存在的问题，具有估计量大，结果取决于信号的频谱分布。
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: 超级电容器 CC 和 CV 实验的解剖工具
表目录 欢迎！ 这是一个用于剖析双电极对称超级电容器的恒流 (CC) 曲线和循环伏安法 (CV) 曲线的库。 它提供了一种简单、标准化的方法来快速从 CC 和 CV 数据中提取有用信息，包括超级电容器电容和等效串联电阻 (ESR) 以及它们如何随周期变化，并提供多种选项以满足科学需求。 超级电容器研究。 CC 分析 对于 CC 分析，通过线性拟合每个充电/放电循环中放电斜率的后半部分来估算电容。 对于重量电容，()：电物理电池中两个电极之一的质量，是另一个的质量，均以g为单位； I 是 A 中用于 CC 分析的电压； 是放电斜率，是电流 (V) 相对于时间 (s) 的变化。 对于非重力电容 (F)：I 是 A 中的电压，是时间 (s) 相对于电流 (V) 的变化。 用电压降估算ESR（Ω）：放电曲线开始处有垂直电压降（单位为V），如右图； 我
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非线性内阻器件在元器件应用中的伏安特性
非线性内阻器件的电流与电流的关系不能用欧姆定律来描述，其伏安特性通常是曲线。 白炽灯和半导体晶体管的伏安特性曲线如右图所示。 白炽灯的伏安特性如图1中曲线bb所示。白炽灯的伏安特性曲线对称于坐标原点，因此具有单向特性。 白炽灯工作时非线性电阻的测量实验报告，钨丝处于低温状态，钨丝内阻随温度下降而减小。 通过白炽灯的电压越大，温度越高，电阻也越大。 另外，白炽灯的“冷内阻”和“热内阻”的阻值可以相差几倍到几十倍，所以白炽灯是非线性器件。 半导体三极管也是一种非线性内阻器件，其伏安特性如图1中cc曲线所示。晶闸管的正向压降很小（锗晶闸管通常为0.2-0.3V左右，而硅晶闸管通常约为0.5-0。
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模块化电动实验方案报告
题目：非线性内阻电路及其应用研究——非线性内阻电路 摘要：采用串联分解法和并联分解法，设计了两种非线性内阻电路，分别满足两种要求的伏安特性曲线。 使用.0软件仿真得到所需的电路连接伏安特性、元器件参数、非线性内阻串并联对电路的影响。 关键词：非线性内阻电路，伏安特性，仿真，凹内阻，凸内阻，串联分解，并联分解应用前景十分广阔。 非线性内阻电路也是研究混沌现象的基础。 通过非线性内阻电路的学习，掌握各二端内阻器件的伏安特性，并利用它们组成非线性内阻电路，初步了解非线性内阻电路的应用。 设计要求： (1)利用晶闸管、稳压器、稳流器设计如图所示的具有伏安特性的非线性内阻电路。 (2) 检测设计电路的伏安特性并绘制曲线，并与图进行比较
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压敏电阻在元器件应用中的伏安特性曲线
压敏电阻是利用半导体材料的非线性伏安特性制成的电压敏感器件。 图为压敏电阻的伏安特性曲线。 可以看出，它是一条对称的非线性曲线。 当外加电流较小时，流过内阻的电压很小，压敏电阻处于高阻状态； 当外加电流达到或超过压敏电阻电流时，压敏电阻阻值急剧下降并迅速导通，其工作电压将降低几个数量级，从而有效保护电路中其他器件不被损坏因缺相而毁坏。图：压敏电阻伏安特性曲线
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