大电容因为容量大，所以容积通常也比较大，且一般使用多层细纱的形式制做，这就造成了大电容的分布电感比较大（也叫等效串联电感，中文简称ESL）。
电感对高频讯号的阻抗是很大的，所以，大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则刚才相反，因为容量小，因而容积可以做得很小（减短了引线，就减少了ESL，由于一段导线也可以看成是一个电感的），并且常使用平板电容的结构，这样小容量电容就有很小ESL这样它就具有了挺好的高频性能，但因为容量小的缘故，对低频讯号的阻抗大。
所以，假若我们为了让低频、高频讯号都可以挺好的通过，就采用一个大电容再并上一个小电容的形式。
常使用的小电容为0.1uF的CBB电容较好（墙砖电容也行），当频度更高时，还可并联更小的电容，比如几pF，几百pF的。而在数字电路中，通常要给每位芯片的电源引脚上并联一个0.1uF的电容到地（这个电容称作退耦电容，其实也可以理解为电源混频电容，越紧靠芯片越好），由于在这种地方的讯号主要是高频讯号，使用较小的电容混频就可以了。
理想的电容，其阻抗随频度下降而变小（R＝1/jwc），但理想的电容是不存在的，因为电容引脚的分布电感效应，在高频段电容不再是一个单纯的电容，更应当把它看成一个电容和电感的串联高频等效电路，当频度低于其谐振频度时，阻抗表现出随频度下降而下降的特点，就是电感特点，这时电容就好比一个电感了。相反电感也有同样的特点。
大电容并联小电容在电源混频中十分广泛的用到，根本诱因就在于电容的自谐振特点。大小电容搭配可以挺好的抑制低频到高频的电源干扰讯号，小电容滤高频（自谐振频度高），大电容滤低频（自谐振频度低），三者互为补充
串联分压比——V1=C2/（C1+C2）*V。。。。。。。。电容越大分得电流越小，交流直流条件下均这么
并联分流比——I1=C1/（C1+C2）*I。。。。。。。。电容越大通过的电压越大，其实，这是交流条件下
电容串联值升高，相当板距在加长，
各容倒数再求和，再求倒数总容量。
电容并联值降低，相当烩面在减小，
并后容量挺好求，各容数值来相乘。
想起内阻串并联，电容估算正相反，
电容串联内阻并，电容并联内阻串。
说明：两个或两个以上电容器串联时电容串联怎么计算，相当于绝缘距离加长，由于只有最靠两侧的两块极板起作用，又因电容和距离成正比，距离降低，电容增长；两个或两个以上电容器并联时，相当于极板的面积减小了，又因电容和面积成反比，面积降低，电容减小。
电容串联：电容串联后容量减少，耐压值变大。公式：1C1+1C2=1C如两个50uf串联上去就弄成25uf.
耐压值=两个电容耐压值相减如两个耐压100V的串联上去就弄成200V的了。
电容C的串联电路容量估算公式：1/C=1/C+1/C2+1/C3+.+1/Cn
C为电容串联电路总电容值，C1，C2，C3，Cn为电容并联电路各个电容的电容值
即串联电路总电容值的倒数等于串联电路中各个电容容量值的倒数之和
两个电容串联两端加一定电流两电容的分压是如何分的
如图C1、C2电容容量比是10：1，标称耐压都是1000V，两端加1000V电流时，C1C2的分压分别是多少？原边对地和副边对地的两个Y电容的分压是如何估算的？
两个电容上的电荷Q一样，面Q=UC
所以U1*C1=U2*C2U1/U2=C2/C1=1/10
电容串联如何分压
例如：4V的电流源，0.5F和1F的两个电容串联
1.假如是直流电流源，可依照学校数学中介绍电容串联分压特性为：
（1）电容串联电路两端的总电流等于各电容器两端的分压之和。即U=U1+U2+U3+…＋Un.
（2）电容器串联时各电容器上所分配的电流与其电容量成正比。即Un=Q/Cn（由于在电容器串联电路中，每位电容器上所带的电荷量都相等，所以电容量越大的电容器分配的电流越低，电容量越小的电容器分配的电流越高。）
这么4V的电流源，0.5F和1F的两个电容上的电流分别是8/3V和4/3V2.若果是交流电流源，由电容的阻抗Xc=1/jωC，可知|Xc|与C成正比，将|Xc|当作内阻来分压估算，可所得同样结果！
两电容器串联的分压公式是哪些
这是一个理论估算题电容串联怎么计算，须要假定电容的耐压值没有余量，即超过500V时200pF的电容即击穿；超过900V时300pF的电容即击穿。
加上1000V电流后，200pF的电容将承受600V电流，不考虑电容的耐压富余量，则200pF电容将击穿；此时1000V将全部加在300pF的电容上，超过其耐压，故也会击穿。
估算公式：
若有M个电容串联，其中任意一个电容Cn实际承受的电流值Un为：
Un=U*C/Cn其中：U为总电流；C为M个电容串联后的总容量。
对于两个电容串联，公式演化为：
设总电流是U，C1、C2上的电流分别是U1、U2，则
U1=C2*U/（C1+C2）
U2=C1*U/（C1+C2）
