小电压MOS管发热分析
MOS管，无论是做电源设计，还是做驱动电路，都免不了要用到MOS管。 MOS管的种类很多，作用也很多。 使用电源或驱动器实际上就是利用其开关功能。
不管是N型还是P型MOS管，其工作原理本质上是一样的。 MOS管通过施加在输入端基极的电流来控制输出端漏极的电压。 MOS管是压控元件。 它通过施加于基频的电流来控制元件。 不会引起二极管开关时栅极电压引起的电荷存储效应。 因此，在开关应用中电路板电流过大的原因电感，MOS管的开关速率应该比二极管快。 其主要原理如下：
开关电源中常用MOS管的漏极开路电路，如图2所示，漏极原封不动地接在负载上，称为漏极开路。 在开路漏极电路中，不管负载上流过多大的电流，它仍然可以通断。 空载电压。 是理想的模拟开关元件。 这就是MOS管作为开关元件的原理。 其实用MOS管做开关的电路方法有很多。
就开关电源应用而言，这些应用要求MOS管周期性地导通和关断。 例如，DC-DC 电源中常用的基本糖转换器就是依靠两个 MOS 晶体管来执行开关功能。 该开关交替地将能量存储在电感器中，然后将能量释放给负载。 我们经常选择几百kHz甚至1MHz以上的频率，因为频率越高电路板电流过大的原因电感，磁性器件就可以做得越小、越轻。 正常工作时，MOS管只相当于一个导体。 因此，我们的电路或电源设计人员最关心的是MOS的最小导通损耗。
我们经常看MOS管的PDF参数。 MOS管厂商使用RDS(ON)参数来定义导通电阻。 对于开关应用，RDS(ON) 也是最重要的元件特性。 数据指南将 RDS(ON) 定义为基极（或驱动）电流 VGS 和开关两端电压的函数，但对于足够的基波驱动，RDS(ON) 是一个相对静态的参数。 还在导通的MOS管很容易发热。 另外，逐渐降低的结温也会引起RDS(ON)的降低。 MOS管资料指南规定了热容参数，定义为MOS管封装的半导体结的散热能力。
mos管小电压发热的原因
1、电路设计的问题是让MOS管工作在线性工作状态，而不是开关状态。 这也是导致MOS管发热的一个诱因。 如果用N-MOS做开关，G电平电流比电源高几个V，就可以完全导通，P-MOS则相反。 如果没有完全打开，压降过大，会造成耗电。 等效直流阻抗比较大，压降降低，所以U*I也降低，损耗就是发热。 这是设计电路最忌讳的错误。
2、频率太高，主要是有时候体积太过追求，导致频率升高，MOS管上的损耗减少，所以发热量也增强。
3、散热设计不够，电压过高，MOS管的标称电压值通常需要良好的散热才能达到。 因此，如果ID大于最大电压，也可能会发热严重，需要足够的辅助散热片。
4、MOS管选择错误，功率判断错误，没有充分考虑MOS管的阻值，导致开关阻抗下降。
小电压mos管发热严重如何解决
1、做好MOS管的散热设计，加足辅助散热片。
2、贴散热胶。