我们看图1：
在图1左图中，我们可以看到电源部分由电源电动势E和电源电阻r0组成。
当电源输出电压给负载内阻时，根据串联电路电流处处相等的原理，我们很容易知道，必然有
创造。 我们称U=IR为路边电流。
图1下图称为电源的伏安特性曲线。 我们听说这条曲线看起来像是一条对角线。 左边A点对应电压为零的状态，此时路端电流U=E； 左边的B点对应于一定电压I下的路端电流Ux，我们看到它比E点增加了一定的高度，虽然这个增长值是电源电阻上的压降。
这是当前的来源。
如果电流源的电阻为零，则称为理想电流源。 理想电流源输出的路端电流值始终等于电源的电动势，与输出电压无关。
我们看图2：
图2左图是电压源电路，下图是电压源的伏安特性曲线。 请注意电阻串联和并联电流的区别，电压源具有很大的电阻，并且与电压源电压并联。
如果电压源的电阻无穷大，则该电压源称为理想电压源。
了解了电流源和电压源之后，我们再来看看实际的供电情况。
我们看图3：
在图3中，如果我们能够手动调节内阻Rk，并将调节量与路端电流U的变化量联系起来，我们就可以设计出一个真正的电流源。
我们来看图4，看看最简单的稳压电源是如何工作的：
我们先看图4中的电源部分：变压器次级交流电流为U2，经过检测检测，电容C1两端和三极管基极的电流Uc为1.2U2。
我们知道，检测后获得的电流不是很稳定，它会受到交流电源电流和输出负载变化的影响。
在图4中，我们看到晶闸管Dw，它形成稳定的电流Ub。
现在，我们关注晶体管 T。
我们知道晶体管发射极到栅极是正向三极管，晶闸管正向导通时晶闸管的电流为0.6V，所以晶体管发射极电流
。 由于 Ub 稳定，因此 Ue 实际上也是稳定的。 虽然Ue是输出电流，但可以看出负载内阻Rfz两端的电流实际上是稳定的。
现在我们看一下电源电流Uc、晶体管集电极电流Uce和负载电流Ufz之间的关系：
。
我们发现这里的Uce相当于电阻Rk上的电流：当输出电压Ie增大时，负载内阻Rfz上的电流趋于上升，因此Uce也呈现上升趋势，因此Rfz上的电流减小。 相反，如果输出电压Ie降低，Uce也呈现减弱趋势，从而提高Rfz上的电流。 参见图 5：
图5两侧是晶体管的特性曲线。 注意，曲线的每个分支，基极电压Ic和集电极电流Uce之间的关系都是单调递增的。 并且由于发射极电压Ie约等于基极电压Ic，因此我们可以得到上述判断。
虽然，从原理上可以看出，只要稳压晶闸管的电流稳定，晶体管的集电极电流Ub也稳定，晶体管的发射极电流Ue实际上也是稳定的。
熟悉模拟电子的人一定一眼就能看出，这个电路是晶体管共基极电路，也称为射极跟随器。 它的输入位于栅极和基极之间电阻串联和并联电流的区别，输出位于发射极和栅极之间。 它不具有电流放大功能，但具有电压放大功能。 实际中通常用作稳压电源的阻抗变换和调节管。
例子：
假设变压器次级交流电流为12V，则检测混频后电容C1两端的电流为
。 该电流是晶体管的基极电流Uc。
若晶闸管的稳态电流为9.6V，则三极管的集电极电流也为9.6V。
由于基极和发射极之间的压降为0.6V，所以晶体管的发射极电流Ue为：
。 事实上，这个电流就是稳压电路的输出电流。
那么，晶体管基极和发射极之间的电流为：
。
5.4V的压降相当于电阻Rk的压降。 当输出电压变大时，Uce会下降，反之则减小，从而实现输出电流的稳定。
受试者对电流源和普通电源之间的区别有疑问。 答案是：没有区别。
现在，让我们看看电压源与普通电源有何不同。
我们已经知道，电压源的输出是电压，而普通电源的输出是电流源。 显然，两者不是一回事。 为此，我们首先可以推断电压源与普通电源无关。
电压源的电路结构采用晶体管共栅电路实现。
在图 7 中，我们看到左侧的晶体管电路。 请注意，晶体管的集电极电流是恒定的。
例如图中晶闸管的稳定电流为6V，则三极管的集电极电流为：
，可以看出栅极电流是恒定的。
我们知道三极管集电极到发射极的电流为0.6V，所以三极管发射极的电流为：
，也是一个常数。
我们知道，晶体管的基极电压约等于发射极电压，因此该恒流源的电压Is为：
，可以看出这个电压是恒定的。
这样的恒流源有什么问题呢？很简单，如果负载内阻Rc增大，那么
事实上，它也得到了加强。 一旦该电流接近电源电流，恒流源就会失效。
可见恒流源本质上是由电流源转换而来。 这可以通过电路分析中的功率转换估算清楚地看出。
我们看图8：
恒流源中的晶体管按照共栅电路连接，其特点是曲线非常平坦，正好满足恒流源的特性。
这篇文章的解释到这里就结束了。