为提高广大党员业务能力和科学素质，认识了解现今世界高新技术的最新发展进程和发展趋势，1月5日凌晨，市文联、科技局联合召开“创新讲堂”活动，市文联、科技局领导班子成员、机关工作人员以及下属事业单位共计100多人出席了这次学习。
现场约请了中国科大学数学研究所博士生导师、研究员、课题主任张建军院士做“量子科技与应用”专题讲堂，他从量子技术的概念、量子通讯技术的应用以及量子估算的发展等几个方面出发，用相对浅显的语言和事例，分享了量子科技的最新发展趋势和应用方向，带着你们展现了量子科技的奥秘。讲堂中张院长通过深入浅出的讲解，生动形象的例子将原先艰深、抽象的数学学名词娓娓道来锗与量子通讯，导致了在场人员昂贵的兴趣。在讲课结束后，现场出席人员纷纷提出了自己对于量子学的疑惑，张建军针对你们的问题一一进行解答，让你们的问题及时得到解决并对量子学有了更深入的了解。
这次讲堂，宽广了党员队伍视野，扩宽了知识直径，提高了精神境界，深切的感遭到了前沿高新科技对国家发展的重要作用。广大机关党员纷纷表示，下一步要认真吸收授课精神，将学习成果转化为具体措施，围绕县委市政府的中心工作，牢牢掌握高质量发展的根本主线，为我市“重要窗口建设”和经济高质量发展贡献文联力量。
接出来，市文联、科技局将继续积极依托各自已有的学习平台，整合优势资源，约请到前沿科学领域的国外著名专家学者，对现今世界以及当代中国发展中的热点、难点和焦点问题，举办多种方式的集中学习活动。
张建军
男，中国科大学数学研究所博士生导师，研究员锗与量子通讯，课题主任。
教育和工作经历：
1997-2004年长沙学院化学系专科、硕士；2005-2010年美国马普固体研究所和澳大利亚约翰开普勒学院联合培养博士；2010-2012年美国莱布尼兹固体和材料研究所从事博士后研究；2013-2014年美国量子估算和通信技术卓越中心独立从事原子尺度半导体元件研究；2014年加入中国科大学数学研究所，兼任2016年创立的半导体量子材料与元件课题组(N09)主任。
其团队目前的研究重点主要集中在：(1)面向量子估算的硅基量子芯片材料，包括半导体量子点、量子线和量子薄膜原子尺度的外延生长和物性表征；（2）面向硅基光电子集成的材料和元件，包括CMOS工艺兼容的硅基III-V族InAs/GaAs材料外延、器件和光电子集成研究。
获得成果：
1.发觉了在硅衬底上大规模生长锗量子线的新方式，在零维量子点被发觉22年以后把它推广到了一维量子线(PRL109,(2012))；实现了晶片级硅基锗量子线的自组装定位生长并观测到可电场调控的强载流子轨道作用(Adv.Mater.32,(2020))；合作实现了国际首个锗量子比特以及量子点和超导微波谐振腔的耦合，受邀为国际顶尖刊物《》合写了综述论文“TheRoute”。
2.有效克服了硅上生长多晶硅存在极性失配、晶格失配和热失配的历史困局(APL113,(2018);OME10,1045(2020))，实现了高性能Si(001)及SOI基InAs/GaAs量子点激光器等，对实现单片集成硅光芯片具有重要意义。