霍尔效应是磁场作用于载流金属导体的现象，可以用来判断电流的方向和磁场的方向。在大学物理中，霍尔效应公式通常表示为：
H = μ × I × B / d
其中，H代表霍尔电场强度，μ代表电子有效质量，I代表通过材料的电流，B代表垂直于材料表面的磁场，d代表材料的厚度。
这个公式描述了霍尔效应中产生的霍尔电场强度与电流、磁场和材料性质之间的关系。需要注意的是，这个公式是在材料为理想导体，即电导率无限大的情况下成立的。如果材料具有有限的电导率，那么霍尔效应还会受到电场和温度的影响。
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霍尔效应是磁场作用于载流金属导体、半导体中的一项重要效应，可以通过公式H=KIB来描述，其中H为霍尔电势差，K为霍尔系数，I为通过霍尔片的电流强度，B为磁场强度。
H = K I B
将K=μρ/d（μ为真空磁导率，ρ为导体材料的电阻率，d为导体厚度的倒数）和I=LV（V为沿导体棒方向的速）代入上式，可得：
H = μρL/d B V
其中V是电流垂直通过磁场时的速度。接下来，我们可以求出这个速度V。根据牛顿第二定律，导体棒受到的安培力等于BIL，而这个力等于V乘以质量m（假设质量已知），因此有：
V = BIL/m
将这个结果代入方程中，可得：
H = μρLBBIL/m
