半导体物理公式包括：
1. 费米-狄拉克分布：N(E) ∝ min(E0, E)exp(-E0/kT)，其中E是电子能量，E0=√(2mεF/ε0)是能量阈值，m是电子质量，εF是费米能级。
2. 德拜长度公式：Ld=λ(T)/√(π^2T^4ρ)，其中Ld是德拜长度，λ是光学吸收边，ρ是电阻率。
3. 德哈斯-范阿尔斯方程：ρ=ρ0[exp(Ea/kT)-1]，其中Ea是吸收边，k是波尔兹曼常数。
4. 霍尔效应公式：Vh=KH*S*I/(n*d)，其中Vh是霍尔电压，KH是霍尔系数，S是被测面积，I是电流，n是个数，d是材料的厚度。
5. 扩散方程：D*Δn/Δx=Δn/Lx-V*Δn/Ly，其中D是扩散系数，V是浓度梯度梯度方向上的漂移速度。
以上只是半导体物理公式的一部分，建议查阅专业书籍获取更多信息。
半导体物理公式中一个重要的例子是载流子的统计分布。在半导体中，载流子包括电子和空穴，它们在半导体中的运动是半导体的基本特性之一。
假设半导体是由某种具有一定数量的原子组成的，例如硅或锗。当电子从原子跃迁到自由状态时，它们就会成为载流子。这些电子可以获得足够的能量来从原子中释放出来，或者通过碰撞其他粒子（如声子）而产生。
N(E) = N0 exp(-E/kT) / (exp(E/kT) - 1)
其中：
N(E) 是电子能量为 E 时的数量密度；
N0 是总数量密度；
k 是玻尔兹曼常数；
T 是绝对温度；
E 是电子的能量。
这个公式描述了当温度升高时，电子的数量密度如何随着能量的变化而变化。在绝对零度时，公式变为 Dirac delta 函数，表示电子的数量密度在零点处无限集中。
需要注意的是，这个公式是在理想情况下得出的，实际半导体中可能存在一些其他因素，如晶格散射、杂质散射等，这些因素会影响电子的运动和数量密度。因此，在实际应用中，需要考虑到这些因素的影响。
