1977年恢复考试制度后，他通过全国高考，考入北京大学物理系77级。 1980年参加并通过了李政道先生组织的考试，1981年秋赴美国普林斯顿大学物理系学习。 1986年6月获数学物理哲学博士学位。同年9月赴德克萨斯州立大学奥斯汀分校数学系从事博士后研究。 1989年回国后，在北京大学物理系担任第二位博士后。 1991年晋升副教授，1995年晋升教授北大理论物理专业，1998年任博士生导师。
1996年10月至1997年8月，在国泰航空基金会（hip）资助下，赴英国牛津大学理论物理系学习十个月； 1998年1月至5月，在国泰航空基金会（hip）资助下，赴香港浸会大学（rsity）物理系学习五个月； 2000年1月至3月，在英国有关基金的资助下北大理论物理专业，赴剑桥大学牛顿学院参加“强相关电子系统研讨会”。
在过去的十年中，我一直致力于研究强相关电子系统的一些定性结果。 他在以下四个方面做出了独特的工作： 引入了一种新的方法来精确估计哈密顿量本征谱的下界，从而将著名的铁磁态的研究从只有一个孔的情况扩展到无限的情况孔； 基于Lieb教授引入的“自旋反射正性”技术，首次建立了研究强相关电子系统中电子相关函数的新方法。 作为-定理的补充，建立了温度为零时某类长程有序不存在的充分条件，并将这一结果进一步推广为两类长程有序共存的充分条件。范围顺序。 当电子数为奇数时，“自旋反射正性”方法得到推广，从而建立了强相关电子系统中电荷能隙与自旋能隙之间的普适关系。 [1]
这些作品引起了国内外同行的极大兴趣。 其中一些作品被外国同事在评论文章中发表在有影响力的评论期刊上，例如《现代物理学评论》（of）。
近五年代表性工作
GS Tian 和 TH Lin，“准一：一些”，Phys. Rev. B 53,8196 (1996)。
GS Tian，“A 表示多体中的两个 Long-g”，J. Phys. A: Math. Gen. 30,841 (1997)。
GS Tian，“单一模型”，Phys. Rev. B 56, 5355 (1997)。
GS Tian，“-$U$ 模型中的和间隙：一些”，J. Phys. A: Math.Gen. 30, 5329(1997)。
GS Tian，”和半态自旋间隙：A''，Phys. Rev. B58, 7612(1998)。
GS Tian 和 LH Tang，“小篇：A”，Phys. Rev. B 58, 12333 (1998)。
GS Tian 和 LH Tang，“on-in at”，Phys.Rev. B 60, 11336 (1999)。
