EGL（Effective Gain Length）是一种用于描述半导体材料性能的物理量，其公式为：
EGL = (Lp - Lf) / Lp 100%
其中，Lp 是材料的有效长度，Lf 是材料中的缺陷长度。
具体来说，EGL 描述了材料中缺陷对材料性能的影响程度，即缺陷对材料性能的削弱程度。这个公式考虑了材料中的缺陷长度 Lf，并将其与有效长度 Lp 进行比较，从而得出缺陷对材料性能的影响程度。
在半导体材料中，EGL 的值通常在 5% 到 20% 的范围内。这个值可以用来评估材料的质量和性能，并用于优化工艺和设计。
需要注意的是，EGL 是一个相对概念，它取决于特定的应用和测试条件。因此，在使用 EGL 时需要结合具体的应用场景和测试方法进行评估。
对不起，您可能有些混淆。EGL（Electro-Gravitic）物理公式通常不会直接列出例题。EGL是一个相对较新的物理概念，主要用于描述物体在电磁场中的重力效应。然而，我可以为您提供一些关于EGL的基本概念和公式，以及一些可能的实际应用示例。
EGL的基本公式为：
∇ × (ρ × E) = -ρ × Ω
其中，ρ是电荷密度，E是电场强度，∇是梯度算符，ρ × E是电矢势（电场矢量与电荷密度的外积），ρ是电荷分布，Ω是磁场强度。
假设有一个带电粒子在磁场中运动，我们可以使用EGL来描述其运动轨迹。假设粒子带电量为q，质量为m，磁场强度为B。粒子在磁场中的运动轨迹可以用一个椭圆来描述，其长轴和短轴长度分别为L和l。我们可以使用EGL来解释这个现象：
∇ × (B) = μ0I
其中I是电流强度，μ0是真空磁导率。由于粒子在磁场中运动会产生电流，因此我们可以将上述两个公式结合起来得到：
∇ × (ρ × E) = -ρ × Ω + μ0I
其中ρ是电荷密度，E是电场强度，Ω是磁场强度。由于粒子带电，其周围会产生电荷分布，因此ρ不为零。同时，由于粒子运动会产生电流，I也不为零。因此，我们可以将上述公式应用于粒子运动轨迹的描述中，得到一个椭圆形的轨迹。
请注意，EGL是一个相对较新的物理概念，目前还处于研究和探索阶段。因此，对于更具体的应用和例题，您可能需要参考相关的研究文献或专业书籍。
