半导体物理中的速度公式主要包括以下几个：
1. 速度平方反比律：在均匀半导体中，自由电子的迁移率（即速度）与速度的平方成反比。这是描述半导体中自由电子运动的基本定律，适用于解释许多实验现象，如扩散、霍耳效应等。
2. 多普勒速度公式：这个公式可以用来计算在半导体中的扩散速度，它与浓度梯度、晶体尺寸、材料性质等因素有关。
3. 霍尔速度：在磁场中运动的电子，其速度方向与磁场方向相垂直时，其运动速度称为霍尔速度。这个公式通常用于描述霍耳效应中的电子运动。
请注意，这些公式只是半导体物理中的一部分，具体公式还需要根据实际情况和需求来确定。
假设一个半导体中存在一个长度为L的均匀扩散注入的电子束，其浓度为n。假设半导体中的载流子迁移率分别为μn和μp，电导率σ为常数，且载流子的扩散系数D也为常数。
根据漂移速度的定义，电子的漂移速度v等于电场强度E与电子浓度n的比值，即v = E/n。将这个定义代入半导体物理的连续性方程（电荷守恒定律）中，可以得到：
dL/L = -D/μn(E-v)
其中，dL表示电子在长度方向上的变化量。将上式两边同时乘以时间t，得到：
vL = -Dt(μnE-1)
其中，vL表示电子的平均漂移速度。将上式中的常数项提取出来，得到：
vL = -DtμnE + Dt
将上式除以L，得到平均漂移速度vL与长度L的关系：
v = -μnE + 1
这个公式告诉我们，电子在半导体中的平均漂移速度与电场强度E成正比，与载流子浓度n和迁移率μn成反比。这个公式可以用于计算电子在半导体中的平均漂移速度。
